【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体，尤其涉及一种等离子处理设备。
技术介绍
1、等离子体处理设备是通入ar气作为工作气体，通过射频电极如射频线圈产生电场以击穿气体，从而在基座上方激发产生等离子体，等离子体中的ar离子在基座偏压的作用下对基片进行轰击，从而实现去除沟槽或孔底部金属表面的氧化层的预清洗工作。
2、等离子体的主要组成成分为电子、正离子以及中性粒子，其中，中性粒子不受磁场作用，带电粒子会在磁场作用下偏转，其中，重离子在磁场作用下偏转较小，而轻电子受洛伦兹力影响较大。在外界磁场的干扰下，容易导致等离子体处理腔室内的磁场分布发生变化,从而易造成等离子体分布不均匀，使在处理腔室内生成的等离子体分布产生偏差，而容易导致对晶圆的处理的均一性和再现性受到损害。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种等离子处理设备，以隔离外界磁场对等离子处理腔室内等离子体的干扰，从而保证了等离子处理腔室内磁场的稳定，避免了等离子处理腔室内的磁场受外界磁场干扰而导致等离子处理腔室内的等离子体分布不均，有利于提升对晶...
【技术保护点】
1.一种等离子处理设备，其特征在于，包括:
2.根据权利要求1所述的等离子处理设备，其特征在于，还包括等离子发生器，所述等离子发生器设置于所述等离子处理腔室的顶部，且所述等离子发生器的直径小于所述等离子处理腔室的直径，所述磁隔离屏蔽罩还包括环状结构，所述环状结构的一端与所述筒状结构的顶端部相接，所述环状结构的另一端朝向所述等离子发生器方向延伸设置，以遮挡部分所述等离子处理腔室的顶部。
3.根据权利要求2所述的等离子处理设备，其特征在于，所述筒状结构与所述环状结构之间所夹的角度为90°~150°。
4.根据权利要求2所述的等离子处理设...
【技术特征摘要】
1.一种等离子处理设备，其特征在于，包括:
2.根据权利要求1所述的等离子处理设备，其特征在于，还包括等离子发生器，所述等离子发生器设置于所述等离子处理腔室的顶部，且所述等离子发生器的直径小于所述等离子处理腔室的直径，所述磁隔离屏蔽罩还包括环状结构，所述环状结构的一端与所述筒状结构的顶端部相接，所述环状结构的另一端朝向所述等离子发生器方向延伸设置，以遮挡部分所述等离子处理腔室的顶部。
3.根据权利要求2所述的等离子处理设备，其特征在于，所述筒状结构与所述环状结构之间所夹的角度为90°~150°。
4.根据权利要求2所述的等离子处理设备，其特征在于，所述筒状结构的顶部与所述等离子处理腔室的顶部之间的间距大于等于10mm，且所述磁隔离屏蔽罩的顶部低于所述等离子发生器的顶部。
5.根据权利要求2所述的等离子处理设备，其特征在于，所述环状结构在所述筒状结构径向上的投影的宽度不大于10mm。
6.根据权利要求1所述的等离子处理设备，其特征在于，所述筒状结构设有若干贯穿所述筒状结构的散热部，所述散热部包括孔...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱鹏涛，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：
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