【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种用于将端子附接至具有隔离层的用于半导体功率模块的金属衬底结构的方法。本公开还涉及一种用于半导体器件的半导体功率模块。
技术介绍
1、ep0645815a2描述了一种包含高功率、高频率的半导体开关器件的高功率模块及其操作方法。该高功率模块具有组成、几何和电气对称性。该高功率模块还包括短内部引线、特殊ic芯片衬底、可调栅极引线电阻、特殊的复合金属/陶瓷基板以及特殊的端子导体重叠结构。
2、传统的绝缘金属衬底实现了同时具有低绝缘要求和低热阻要求的低功率和中等功率半导体模块技术。端子被附接到绝缘金属衬底，并且存在将端子可靠地连接在绝缘金属衬底上的需求。对于低可靠性要求，端子可以钎焊或胶合到衬底上。焊接过程可能对衬底结构至关重要。鉴于这种绝缘金属衬底的传统设置，相应的端子使用焊接技术连接到顶部金属化部以提供接合连接。这可能对于在金属化部下方具有树脂绝缘片的衬底上的稳定过程至关重要。焊接过程可能导致衬底结构的损坏，例如由于端子脚与衬底之间的摩擦和压力，超声波焊接在衬底结构上带来热应力、机械应力和热机械应力的强烈冲击。在此，...
【技术保护点】
1.一种用于将端子(4)附接至用于半导体功率模块(10)的金属衬底结构(3)的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，
3.根据权利要求1所述的方法，其中，
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，
7.一种半导体功率模块(10)，包括：
8.根据权利要求7所述的半导体功率模块(10)，其中所述端子(4)包括：
9.根据权利要求8所述的半导体功率模块(10)，其中
10...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于将端子(4)附接至用于半导体功率模块(10)的金属衬底结构(3)的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，
3.根据权利要求1所述的方法，其中，
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，
7.一种半导体功率模块(10)，包括：
8.根据权利要求7所述的半导体功率模块(10)，其中所述端子(4)包括：
9.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·吉隆，M·拜耳，A·罗斯奇，G·A·塞尔瓦托，
申请(专利权)人：日立能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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