在增大将以逐步方式采样的输入信号的电压电平并写入所需电压电平的信号电压Ｖｓｉｇ之前，执行写入低于信号电压Ｖｓｉｇ的预充电电压Ｖｐｒｅ的预充电，以将同一电压Ｖｐｒｅ预先施加给驱动晶体管的栅极。这不仅提供了驱动晶体管在写入信号电压Ｖｓｉｇ时的减小的栅－源电压，而且还延长了迁移率校正操作所需的迁移率校正时间。迁移率校正操作所需的迁移率校正时间的延长确保校正时间的较小变化，从而抑止了亮度的变化。延长还能够将写入脉冲设定为最佳脉冲宽度。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及显示装置、显示装置的驱动方法及电子设备。本发 明具体涉及具有包括以矩阵形式排列的发光元件的像素的平玲反显 示装置、显示装置的驱动方法及具有显示装置的电子设备。
技术介绍
在图像显示装置领域中，近年来已看到具有包括以矩阵方式排 列的发光元件的像素(像素电路)的平板显示装置的开发和商业化。在这些显示装置中的是使用有机EL (场致发光)元件作为像素的 发光元件的有才几EL显示装置。有才几EL元件为所谓的电流驱动发 光元4牛的实例，其发光亮度随着流过元件的电流的改变而改变。有 机EL元件依赖于当施加电场时其有机薄膜发光的现象。这些有机EL显示装置I是供低功耗要感谢能够通过10 V以下的 施加电压驱动的有才几EL元件。此夕卜，有才几EL元件是自发光的。 这使有机EL显示装置比被设计以通过使用液晶单元控制来自用于 包括该单元的每个像素的光源(背光)的光强度来显示图像的液晶 显示装置更有优势。这些优势包括高图像可见度并且易于减小重量 和厚度，这要感谢不需要诸如液晶显示装置所必需的背光的照明元 件。此外，有机EL元件提供极其高或约几p秒的响应速度。结果， 有才几EL显示装置在运动图<象的显示期间不产生图 <象滞后。如液晶显示装置，能够通过无源或有源矩阵来驱动有才几EL显 示装置。但是，应注意，尽管无源矩阵显示装置结构简单，但是它 们也存在劣势，这些劣势包括实现大尺寸、高清晰度显示装置的困 难。因此，近年来，有源矩阵显示装置的发展已活跃起来。在这些 显示装置中，通过在诸如绝缘4册电场效应晶体管(通常为TFT (薄 膜晶体管))的相同像素电路中与发光元件一起设置的主动元件来 控制流过发光元件的电流。顺<更，众所周知有才几EL元件的I - V特性(电流vs电压特性) 随时间而劣化(所谓的长期劣化)。在使用N沟道TFT作为用于通 过电流驱动有才几EL元件的晶体管(下文描述为"驱动晶体管")的 像素电路中，有机EL元件连接至驱动晶体管的源极。因此，有机 EL元件的I-V特性的长期劣化导致驱动晶体管的栅-源电压Vgs 改变，因此改变了有机EL元件的发光亮度。下面，将给出其更详细的描述。通过驱动晶体管和有才几EL元 件的操作点来确定驱动晶体管的源电位。在有机EL元件的I - V特 性劣化的情况下，驱动晶体管和有机EL元件的操作点改变。这导 致了即使对驱动晶体管的栅极施加相同的电位仍会引起驱动晶体 管的源电位改变。结果，驱动晶体管的栅-源电压Vgs改变，从而 改变了流过驱动晶体管的电流。这改变流过有才几EL元件的电流， 乂人而改变了有才几EL元件的发光亮度。另一方面，对使用多晶硅TFT的像素电^^，除有机EL元件的 I - V特性长期劣化之外，驱动晶体管的阈值电压Vth和构成驱动晶 体管的沟道的半导体薄膜的迁移率Ki也随时间改变。此外，阔值电 压Vth和迁移率p会由于制造处理的变化而在不同的像素之间有所 不同(即，不同晶体管表现出不同的特性)。5在驱动晶体管的阈值电压vth或迁移率Ki中存在差异的情况 下，流过驱动晶体管的电流改变。这导致即4吏对驱动晶体管的4册极 施加相同的电压，在不同像素之间的有机EL元件的发光亮度仍会 发生改变，因而削弱在整个画面上的均匀性。鉴于此，每个像素电路都具有各种补偿和;艮正功能，以确^隊即 使在有机EL元件的I-V特性长期劣化或驱动晶体管的阈值电压 Vth或迁移率p长期改变的情况下，有机EL元件的发光亮度仍能 保持恒定而不会一皮这种改变或劣化影响。其中的一个功能为用于补 偿有机EL元件的特性改变的补偿功能。另一个功能为用于4交正驱 动晶体管阈值电压Vth的改变(下文写为"阈值校正")的才交正功 能。又一个功能为用于校正驱动晶体管的迁移率|a (下文写为"迁 移率4交正")的4交正功能(例如，参考日本专利7>开第2006-133542 号)。
技术实现思路
在曰本专利/>开第2006-133542号中所述的先前才支术中，每个 像素电路均具有用于补偿有机EL元件的特性改变的补偿功能和用 于才交正驱动晶体管的阈值电压Vth和迁移率|a的改变的校正功能。 结果，在有机EL元件的I-V特性的长期劣化或驱动晶体管的阈值 电压Vth或迁移率[a的长期改变的情况下，有机EL元件的发光亮 度保持恒定，而不会被这种改变或劣化影响。但是，每个像素电路 包括大量元件，因而造成对像素尺寸的减小的障碍。减少构成像素电^各的元件和互连的It目的可能解决方法是确 保可以改变被提供给像素电路的驱动晶体管的电源电位。以此方 式，驱动晶体管能够通过改变电源电位来控制有才几EL元件的发光 与不发光期。结果，用于控制发光和不发光期的晶体管可^L忽略。这项技术能够使像素电路配置有最小所需数量的元件。即，像素电^各可以由#:配置为采样输入信号电压并^1夸电压写入至4象素的 写入晶体管、被配置为保持通过写入晶体管写入的输入信号电压的 保持电容以及被配置为根据由保持电容保持的输入信号电压来驱 动发光元件的驱动晶体管构成。如上所述，如果为了减少构成像素电^各的元件凄t而驱动晶体管 还用作;故配置为控制有才几el元件的发光和不发光期的晶体管，则 上面的迁移率校正与通过写入晶体管写入输入信号电压同时执行。另夕卜，在日本专利/>开第2006-133542号中所述的先前技术中，在 输入信号电压的写入期完全完成之后，执行迁移率校正。此处，在校正开始时以及操作时间(迁移率校正时间)，通过 驱动晶体管的4册-源电压Vgs确定迁移率一交正才喿作。另外，在用于 进行迁移率校正以提供最好图像质量的最佳迁移率校正时间与驱 动晶体管在才交正开始时的4册-源电压Vgs之间存在关系。即，栅-源 电压Vgs越高，最佳迁移率4交正时间越短。另一方面，仅通过用于采样和写入输入信号电压至像素的写入 脉沖(用于驱动写入晶体管的脉冲)的脉沖宽度来确定迁移率校正 时间。因此，即使写入脉冲的脉沖宽度改变在长短最佳迁移率校正 时间之间的相同的时间量，zf旦是当最佳迁移率才交正时间短时，写入 脉冲的脉冲宽度的变化仍较大。脉冲宽度的变化导致亮度的变化， 从而导致图〗象质量的劣化。此外，当最佳迁移率4交正时间短时，由于用于确定这个a永冲宽 度的系统，仅能不连续地确定写入脉沖宽度。更具体地，仅能够基 于哪个系统进行才乘作以主时钟的脉沖宽度为单位来确定写入月永冲 宽度。结果，很可能无法实现最佳设定。鉴于前述，本专利技术的目的在于提供一种显示装置、显示装置的 驱动方法以及使用显示装置的电子设备，它们通过延长迁移率才交正 时间来提供迁移率校正操作所需的迁移率校正时间的较小变化，从 而抑止亮度的变化，并允许将写入脉冲设定为最佳力永沖宽度。为了实现以上目的，根据本专利技术的显示装置包括像素阵列部和 写入扫描电路。像素阵列部具有以矩阵形式排列的像素。每个^f象素 均包括发光元件、写入晶体管、保持电容器及驱动晶体管。写入晶 体管采样和写入输入信号电压。保持电容器保持通过写入晶体管写 入的输入信号电压。驱动晶体管基于由保持电容器保持的输入信号 电压来驱动发光元件。写入扫描电路将用于驱动写入晶体管的写入 脉沖逐行提供给像素阵列部中的像素。向在通过写入扫描电路扫描 的行中的像本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示装置，包括： 像素阵列部，包括以矩阵形式排列的多个像素，每个像素都具有发光元件、被配置为采样和写入输入信号电压的写入晶体管、被配置为保持通过所述写入晶体管写入的所述输入信号电压的保持电容以及被配置为基于由所述保持电容保持的所述 输入信号电压来驱动所述发光元件的驱动晶体管； 写入扫描电路，能够操作以将被配置为驱动所述写入晶体管的写入脉冲逐行地提供给所述像素阵列部中的像素；以及 驱动电路，能够操作以将所述输入信号电压提供给在由所述写入扫描电路扫描的行中的每 个像素，并且使所述输入信号电压的电平以逐步的方式升高。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：谷龟贵央，饭田幸人，三并徹雄，内野胜秀，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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