一种提升大面阵红外探测器抛光后表面洁净度的清洗方法技术

技术编号:44601106 阅读:10 留言:0更新日期:2025-03-14 12:56
本发明专利技术提供了一种提升大面阵红外探测器抛光后表面洁净度的清洗方法,属于红外探测器制备技术领域;解决了传统清洗工艺存在残留物导致盲元增加的问题;包括以下步骤:在红外探测器芯片抛光后未取片时通过水雾冲洗红外探测器芯片抛光后的表面;在取片后,将红外探测器芯片放置在清洗工装中,通过洗涤剂结合DI水对红外探测器芯片进行擦洗;通过DI水冲洗红外探测器芯片表面;使用碱性清洗剂擦洗红外探测器芯片表面;采用DI水冲洗红外探测器芯片表面;采用有机溶剂与兆声清洗相结合的方式清洗红外探测器芯片表面;本发明专利技术应用于Ⅱ类超晶格红外探测器抛光后表面清洗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提供了一种提升大面阵红外探测器抛光后表面洁净度的清洗方法,属于红外探测器制备。


技术介绍

1、由于红外探测器具有灵敏度高、误报率小等独特优点,使其在红外对抗、热成像、空气监测和空间通讯等方面有广泛的应用价值。虽然碲镉汞红外探测器具有量子效率高、响应速度快等优点,已成为目前应用最为广泛的红外探测器,但对于长波、甚长波红外探测来说,碲镉汞材料存在组分控制难、厚度及组分均匀性差、电子有效质量低以及制造成本高等特点,导致高性能长波红外探测器难以得到广泛应用,由此红外探测器新型材料亟待人们开发。

2、近年来,锑化物ⅱ类超晶格材料在外延生长和发光性质等方面的研究取得了巨大的进步,为获得高性能红外波段光电子器件奠定了重要的基础。inas/gasbⅱ类超晶格红外探测器芯片按信号采集方向分类属于背面入射器件。在低温工作时,gasb单晶衬底的红外透过率较低,需进行背减薄工艺,增强红外信号的透过率,inas/gasbⅱ类超晶格红外探测器芯片抛光是在抛光机上利用抛光液及抛光垫,以化学机械反应方式对衬底面做最终抛光,以改善抛光面的粗糙度、平坦度与纳米形貌。一般本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种提升大面阵红外探测器抛光后表面洁净度的清洗方法,其特征在于:包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种提升大面阵红外探测器抛光后表面洁净度的清洗方法,其特征在于:清洗工装包含可放置多种不同尺寸红外探测器芯片的样品放置台、镊子夹取部分与水流槽部分,样品放置台为一凹槽,该凹槽与清洗工装的底板之间设有水流槽,样品放置台侧边为镊子夹取槽,抛光后取片的红外探测器芯片按照规格放置在相应的凹槽内。

3.根据权利要求2所述的一种提升大面阵红外探测器抛光后表面洁净度的清洗方法,其特征在于:样品放置台的高度与红外探测器芯片减薄后的高度总和等于凹槽一侧凸台的高度。

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【技术特征摘要】

1.一种提升大面阵红外探测器抛光后表面洁净度的清洗方法,其特征在于:包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种提升大面阵红外探测器抛光后表面洁净度的清洗方法,其特征在于:清洗工装包含可放置多种不同尺寸红外探测器芯片的样品放置台、镊子夹取部分与水流槽部分,样品放置台为一凹槽,该凹槽与清洗工装的底板之间设有水流槽,样品放置台侧边为镊子夹取槽,抛光后取片的红外探测器芯片按照规格放置在相应的凹槽内。

3.根据权利要求2所述的一种提升大面阵红外探测器抛光后表面洁净度的清洗方法,其特征在于:样品放置台的高度与红外探测器芯片减薄后的高度总和等于凹槽一侧凸台的高度。

4.根据权利要求1所述的一种提升大面阵红外探测器抛光后表面洁净度的清洗方法,其特征在于:步骤s2具体包括:

5.根据权利要求1所述的一种提升大面阵红外探测器抛光后表面洁净度的清洗方法,其特征在于:步骤s3和s5采用di水冲洗红外探测器芯片表面是通过固定喷嘴向红外探测器芯片中心低速喷射di水实现的。

6.根据权利要求1所述的一种提升大面阵红外探测器抛光后表面洁净度的清洗方法,其特征在于:步骤s4中碱性清洗剂为氢氧化钠溶液、碳酸钠溶液、次氯酸钠溶液、谷氨酸二乙酸四钠溶液与di水根据设定比例混合后得到的配比溶液。

7.根据权利要求6所述的一种提升大面阵红外探测器抛光后表面洁净度的清洗方法,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:王慧云张培峰王书浩李水利张竟苏莹
申请(专利权)人:山西创芯光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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