【技术实现步骤摘要】
本专利技术提供了一种超晶格红外探测器芯片制作方法，属于红外探测器制作。
技术介绍
1、随着小尺寸、高深宽比红外探测器的流行，使用硬掩膜制作红外探测器台面的必要性越来越强。然而在去除硬掩膜时，虽然有光刻胶保护侧壁，但是受限于光刻工艺的对位精度，不可避免的会造成上电极台面侧壁的刻蚀损伤，导致红外探测器的性能下降，或者会出现台面硬掩膜去除不彻底的情形，使得下电极爬坡异常造成断路，产品报废。此问题亟待解决。
2、下面对现有红外探测器制作工艺中存在的问题进行详细说明。
3、如图1所示，理想工艺流程为：
4、1）光刻工艺：进行曝光、显影、刻蚀，采用光刻胶2保护台面3侧壁不被过刻损伤，得到如图(1a)所示的结构；
5、2）刻蚀工艺：使用rie刻蚀（reactive ion etching）去除台面3上方的硬掩膜1，得到如图(1b)所示的结构；
6、3）清洗工艺：去除台面3侧壁光刻胶2，得到如图(1c)所示的台面3。
7、然而，受限于光刻对位精度，如图2所示，实际情况如下：
...【技术保护点】
1.一种超晶格红外探测器芯片制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种超晶格红外探测器芯片制作方法，其特征在于：步骤S1.1中的硬掩膜的材料采用SiO2或Si3N4材料。
3.根据权利要求2所述的一种超晶格红外探测器芯片制作方法，其特征在于：步骤S1.2具体包括：将生长完硬掩膜的晶圆放入无金属罩的等离子体打胶机中去除表面杂质；再涂覆粘结剂；然后甩胶、曝光、显影、竖膜、去除图像边缘残余光刻胶。
4.根据权利要求1所述的一种超晶格红外探测器芯片制作方法，其特征在于：步骤S1.7中采用磷酸、柠檬酸和过氧化氢的混合溶...
【技术特征摘要】
1.一种超晶格红外探测器芯片制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种超晶格红外探测器芯片制作方法，其特征在于：步骤s1.1中的硬掩膜的材料采用sio2或si3n4材料。
3.根据权利要求2所述的一种超晶格红外探测器芯片制作方法，其特征在于：步骤s1.2具体包括：将生长完硬掩膜的晶圆放入无金属罩的等离子体打胶机中去除表面杂质；再涂覆粘结剂；然后甩胶、曝光、显影、竖膜、去除图像边缘残余光刻胶。
4.根据权利要求1所述的一种超晶格红外探测器芯片制作方法，其特征在于：步骤s1.7中采用磷酸、柠檬酸和过氧化氢的混合溶液对超晶格材料进行腐蚀。
5.根据权利要求1所述的一种超晶格红外探测器芯片制作方法，其特征在于：步骤s1.11具体包括：采用负胶l300进行金电极光刻，之后采用电子束蒸发技术，蒸镀ti/pt/au金属，将蒸好金属的晶圆放入丙酮中，等待一段时间后，使用丙酮吹取材料表面，完成金属剥离；待金属剥离...
【专利技术属性】
技术研发人员：张竟，张培峰，苏莹，李水利，王慧云，王书浩，
申请(专利权)人：山西创芯光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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