优化下电极结构的Ⅱ类超晶格红外探测器芯片及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种优化下电极结构的Ⅱ类超晶格红外探测器芯片及其制备方法，属于红外探测器制备技术领域；解决了焦平面阵列中间和边缘位置的像元和下电极距离不等，响应均匀性差的问题；采用的技术方案为：包括多个在焦平面阵列上阵列排布的单元，每个单元包括至少一个下电极和由至少三个上电极组成的上电极阵列，所述下电极位于上电极阵列的中心位置；本发明专利技术应用于大面阵、小像元的红外探测器制备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提供了一种优化下电极结构的ⅱ类超晶格红外探测器芯片及其制备方法，属于红外探测器制备。

技术介绍

1、随着红外探测器“大面阵、小像元”的普及，芯片的响应均匀性越来越差。如图1所示，其吸收区4产生的光生载流子需要通过下接触层3传输到下电极7进行收集，尤其是面阵中心台面的吸收区4产生的光生载流子需要通过较长的传输距离到达下电极7，而传输过程中载流子会在下接触层3外延材料缺陷处进行复合湮灭，这一过程会影响载流子寿命，降低焦平面芯片的信号强度；同时，由于焦平面芯片不同位置台面的吸收区4产生的光生载流子传输到下电极7的距离不同，将会导致下电极7接收到的不同焦平面芯片区域的信号强度不同，影响焦平面芯片的响应均匀性，最终影响焦平面芯片的综合性能。

2、如图2所示，由于上电极6较多，焦平面阵列中间的像元和边缘的像元，和下电极7距离不同，距离下电极7越远，则遭遇外延材料缺陷复合湮灭概率更高，信号强度也就越小。

3、还有的技术方案是在图2的基础上的改进，如图5所示，即保持现有下电极7的位置不变，利用金电极网格将四周的下电极7连接在一起，但是该方本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种优化下电极结构的Ⅱ类超晶格红外探测器芯片，其特征在于：包括多个在焦平面阵列上阵列排布的单元，每个单元包括至少一个下电极和由至少三个上电极组成的上电极阵列，所述下电极位于上电极阵列的中心位置。

2.根据权利要求1所述的一种优化下电极结构的Ⅱ类超晶格红外探测器芯片，其特征在于：每个单元中设置的上电极阵列为奇数阵列时，上电极阵列的中心位置设置一个下电极。

3.根据权利要求1所述的一种优化下电极结构的Ⅱ类超晶格红外探测器芯片，其特征在于：每个单元中设置的上电极阵列为偶数阵列时，上电极阵列的中心位置设置四个下电极。

4.根据权利要求2或3所述的一种优化下...

【技术特征摘要】

1.一种优化下电极结构的ⅱ类超晶格红外探测器芯片，其特征在于：包括多个在焦平面阵列上阵列排布的单元，每个单元包括至少一个下电极和由至少三个上电极组成的上电极阵列，所述下电极位于上电极阵列的中心位置。

2.根据权利要求1所述的一种优化下电极结构的ⅱ类超晶格红外探测器芯片，其特征在于：每个单元中设置的上电极阵列为奇数阵列时，上电极阵列的中心位置设置一个下电极。

3.根据权利要求1所述的一种优化下电极结构的ⅱ类超晶格红外探测器芯片，其特征在于：每个单元中设置的上电极阵列为偶数阵列时，上电极阵列的中心位置设置四个下电极。

4.根据权利要求2或3所述的一种优化下电极结构的ⅱ类超晶格红外探测器芯片，其特征在于：采用补偿算法对不连续的上电极出现的盲元进行补偿。

5.根据权利要求4所述的一种优化下电极结构的ⅱ类超晶格红外探测器芯片，其特征在于：补偿算法采用相邻像元替代法、邻域性插值法、基于统计特性的补偿算法、中值滤波法中的一种或多种。

【专利技术属性】
技术研发人员：张竟，张培峰，苏莹，刘明昊，李水利，王慧云，王书浩，
申请(专利权)人：山西创芯光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：