【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及有源矩阵显示装置,特别是涉及灰度(gradation)可 控性优异的、具有高的开口率(aperture ratio )的底发射型有源矩阵 显示装置。
技术介绍
作为下一代显示装置,利用有机发光二极管(OLED)的显示装 置(以下被称为OLED显示器)已变成关注焦点。如Toray Research Center的"Recent Trend of Flat Panel Display (2004)"公开的那样,根据发光元件发光的方向,OLED显示器被 划分成底发射型和顶发射型。在透明基板上用发光元件形成的底发射型利用由发光元件向基板 发射的穿过基板的光,而顶发射型利用沿与基板相反的方向发射的光。OLED的劣化随驱动时间被加速,使得端子到端子电阻增大。随着驱动电流变得较大,劣化显得更加明显。因此,增大显示装置的各像素中的发光面积的比率(开口率)可 在作为显示装置保证固定的光强度的同时延长OLED的寿命。并且,使得各像素在帧期间中维持其光强度可在保证显示装置运 行所需要的光强度的同时减小驱动电流。因此,对于显示装置的长寿 命而言,有源矩阵驱动技术也变得重要 ...
【技术保护点】
一种有源矩阵显示装置, 其中,在基板上形成晶体管、存储电容器和发光元件, 所述晶体管包含源极电极、漏极电极和栅极电极, 所述存储电容器具有依次层叠在所述基板上的第一电极、电介质层和第二电极的多层结构, 所述发光元件具 有依次层叠在所述基板上的第三电极、发光层和第四电极的多层结构, 所述第一电极与所述晶体管的所述栅极电极电连接, 所述存储电容器的至少一部分被设置在所述基板和所述发光元件之间,所述基板、所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极均由 透过由所述发光元件发射的可见光的材料形成。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:大藤将人,安部胜美,佐野政史,云见日出也,林享,
申请(专利权)人:佳能株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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