一种十字形碳化硅器件及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种十字形碳化硅器件及制备方法，涉及半导体技术领域。本发明专利技术P‑body区和NP区采用十字形布局结构设计，相较于传统的条型布局，可将器件中沟道区的面积增加20%‑30%，因此可以使通流路径的沟道区密度增加，导致SiC MOSFET器件单位面积的通流能力得到大幅提高，器件导通性能获得更优效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种十字形碳化硅器件及制备方法。

技术介绍

1、随着社会的快速发展，全世界都在呼吁提倡节能环保，这也使得新能源汽车、清洁能源等领域在社会的推动下发展十分迅速，比如新能源汽车的800v平台，光伏储能逆变的大功率应用等，这同样推动着电力电子
的发展，终端客户开始对功率器件的性能、可靠性等提出了更为严格的要求。然而目前传统的si基器件已难以再表现更优的性能，因此以sic为代表的第三代半导体器件受益于材料自身的优异特性，在发挥出系统更高的效率同时、还可以降低系统体积和尺寸，实现成本的降低。

2、在sic功率器件中，sic mosfet是最核心产品，其在得益于材料特性的同时，还拥有着mosfet单极性结构器件的开关优势，因此相比于市面上最为常用的si mosfet和siigbt开关器件，其性能表现都更为突出。不过由于sic发展时间更晚，相比于si基器件还不够成熟，因此如何增加sic mosfet器件沟道区密度，提高sic mosfet器件单位面积的通流能力是目前本领域技术人员亟需解决的技术问题。p>

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种十字形碳化硅器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种十字形碳化硅器件制备方法，其特征在于，步骤S100中SiC Sub层（1）和SiC Drift层（2）的导电类型均为N型。

3.根据权利要求1所述的一种十字形碳化硅器件制备方法，其特征在于，步骤S200中P-body区（3）底面深度为0.6um-2um，掺杂浓度为1E17-3E18cm-2。

4.根据权利要求1所述的一种十字形碳化硅器件制备方法，其特征在于，步骤S200中NP区（4）底面深度为0.3um-1.6um，掺杂浓度为1E18-3E19cm-2。

<...

【技术特征摘要】

1.一种十字形碳化硅器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种十字形碳化硅器件制备方法，其特征在于，步骤s100中sic sub层（1）和sic drift层（2）的导电类型均为n型。

3.根据权利要求1所述的一种十字形碳化硅器件制备方法，其特征在于，步骤s200中p-body区（3）底面深度为0.6um-2um，掺杂浓度为1e17-3e18cm-2。

4.根据权利要求1所述的一种十字形碳化硅器件制备方法，其特征在于，步骤s200中np区（4）底面深度为0.3um-1.6um，掺杂浓度为1e18-3e19cm-2。

5.根据权利要求1所述的一种十字形碳化硅器件制备方法，其特征在于，步骤s200中pp区（5）底面深度为0.3um-1.8um，掺杂浓度为1e18-3e19cm-2。

6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：王正，杨程，裘俊庆，万胜堂，王坤，王毅，
申请(专利权)人：扬州杰冠微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：