一种改善开关损耗的SiC MOSFET器件及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种改善开关损耗的SiC MOSFET器件及制备方法，涉及半导体技术领域。本发明专利技术采用倒梯形结构的栅极沟槽，减少了栅极和漏极的重叠区域，从而达到减少栅漏电容的目的，减少米勒平台时间，改善器件的开关损耗。另外本发明专利技术在栅沟槽槽底设计的较厚的栅氧层，其厚度值为厚度为60‑70nm，进一步减少栅漏电容的目的，同时沉积的厚栅氧层7，可以缓解栅氧被电压尖峰击穿的风险。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种改善开关损耗的sic mosfet器件及制备方法。

技术介绍

1、sic作为一种先进的半导体材料，具有很多传统硅材料无法比拟的优点。首先sic的禁带宽度比硅大，这意味着它在导电性能上具有更高的效率和更低的损耗。其次sic的热导率比si高，这使得它能够在更高的温度下稳定工作。再者，sic的电子迁移率也优于si，这使得它在高频应用中表现出色。此外，sic还具有很好的化学稳定性和耐磨性。

2、在功率器件领域，总体损耗是评估性能的核心指标，它包括导通损耗和开关损耗两部分。导通损耗主要与器件本身的特性和工作条件有关，而开关损耗则受到更多因素的影响。影响器件总开关损耗主要有三个因素：开通能量eon、关断能量eoff和反向恢复能量erec。这些因素的比例通常取决于器件的特性、操作条件和外部电路。除此之外，在开关过程中还可能会出现其他损耗，例如由寄生导通引起的损耗。因此，如何改善sic mosfet器件的开关损耗是本领域技术人员亟需解决的技术难题。

技术实现思路

<p>1、针对以上问题本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改善开关损耗的SiC MOSFET器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种改善开关损耗的SiC MOSFET器件制备方法，其特征在于，所述P-body区（3）的浓度范围为1E17cm-2-1E18cm-2，注入深度为0.8-1.5um。

3.根据权利要求1所述的一种改善开关损耗的SiC MOSFET器件制备方法，其特征在于，所述栅极沟槽区（4）的刻蚀深度为1.8-2um。

4.根据权利要求1所述的一种改善开关损耗的SiC MOSFET器件制备方法，其特征在于，所述N+区（5）的浓度范围为1E18cm-2-1E19c...

【技术特征摘要】

1.一种改善开关损耗的sic mosfet器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种改善开关损耗的sic mosfet器件制备方法，其特征在于，所述p-body区（3）的浓度范围为1e17cm-2-1e18cm-2，注入深度为0.8-1.5um。

3.根据权利要求1所述的一种改善开关损耗的sic mosfet器件制备方法，其特征在于，所述栅极沟槽区（4）的刻蚀深度为1.8-2um。

4.根据权利要求1所述的一种改善开关损耗的sic mosfet器件制备方法，其特征在于，所述n+区（5）的浓度范围为1e18cm-2-1e19cm-2，注入深度为0.4-0.8um。

5.根据权利要求1所述的一种改善开关损耗的sic mosfet器件制备方法，其特征在于，所述p+区（6）的浓度范围为1e18cm-2-1e19cm-2，注入深度为0.4-0.8um。

6.根据权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱秀梅，杨程，裘俊庆，王毅，
申请(专利权)人：扬州杰冠微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：