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本发明公开了一种十字形碳化硅器件及制备方法，涉及半导体技术领域。本发明P‑body区和NP区采用十字形布局结构设计，相较于传统的条型布局，可将器件中沟道区的面积增加20%‑30%，因此可以使通流路径的沟道区密度增加，导致SiC MOSFET...
该专利属于扬州杰冠微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州杰冠微电子有限公司授权不得商用。

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