【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种封装工艺，并且更特别地，涉及一种用于提供具有增强的热性能和电气性能的晶片级封装的封装工艺。
技术介绍
1、蜂窝装置和无线装置的广泛利用推动射频(rf)技术的快速发展。制造rf装置所在的衬底在实现rf技术中的高水平性能中起到重要作用。在常规硅衬底上制造rf装置可以从硅材料的低成本、大容量晶片生产、稳固的半导体设计工具以及稳固的半导体制造技术受益。
2、不管将常规硅衬底用于rf装置制造的益处如何，业内熟知的是，常规硅衬底对于rf装置可以具有两个不良性质：谐波失真和低电阻率值。谐波失真是在建造在硅衬底上方的rf装置中实现高水平线性度的关键障碍。另外，硅衬底中所遇到的低电阻率可以使微机电系统(mems)或其他无源部件在高频率下的品质因数(q)降级。
3、此外，高速和高性能晶体管被更密集地集成在rf装置中。因此，rf装置产生的热的量将由于集成在rf装置中的大量晶体管、通过晶体管的大量电力和晶体管的高操作速度而显著地增加。因此，需要以达成更好散热的配置来封装rf装置。
4、晶片级扇出(wlfo)封装...
【技术保护点】
1.一种装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述支撑介电层将所述多个封装触点中的每一个的每一侧包封，并且所述支撑介电层的底表面与所述多个封装触点中的每一个的底表面位于同一平面。
3.根据权利要求2所述的装置，还包括多个凸块，其中，所述多个凸块中的每一个直接耦合到多个封装触点中的相应封装触点的底表面。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述支撑介电层覆盖所述多个封装触点中每一个的每一侧的一部分，使得所述多个封装触点中每一个的每一侧的另一部分暴露。
5.根据权利要求1所述的装置，其中所述支撑介电层包封所述多个封装...
【技术特征摘要】
1.一种装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述支撑介电层将所述多个封装触点中的每一个的每一侧包封，并且所述支撑介电层的底表面与所述多个封装触点中的每一个的底表面位于同一平面。
3.根据权利要求2所述的装置，还包括多个凸块，其中，所述多个凸块中的每一个直接耦合到多个封装触点中的相应封装触点的底表面。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述支撑介电层覆盖所述多个封装触点中每一个的每一侧的一部分，使得所述多个封装触点中每一个的每一侧的另一部分暴露。
5.根据权利要求1所述的装置，其中所述支撑介电层包封所述多个封装触点中的每一个的每一侧，并且所述支撑介电层的底表面垂直超出所述多个封装触点中每一个封装触点的底表面。
6.根据权利要求5所述的装置，还包括多个外部触点，其中，所述多个外部触点中的每一个通过支撑介电层直接耦合到所述多个封装触点中的相应封装触点的底表面。
7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一介电层的顶表面是第一减薄裸片的顶表面，使得所述第二模化合物与所述第一介电层的顶表面接触。
8.根据权利要求1所述的装置，其中所述支撑介...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱利奥·C·科斯塔，简·爱德华·万德梅尔，乔纳森·哈勒·哈蒙德，小梅里尔·阿尔贝特·哈彻，乔恩·查德威克，
申请(专利权)人：QORVO美国公司，
类型：发明
国别省市：
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