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本公开涉及一种用于增强晶片级封装的热性能和电气性能的封装工艺。具有增强性能的所述晶片级封装包括具有第一装置层(20)的第一薄化裸片(14)、多层再分布结构(52)、第一模化合物(42)以及第二模化合物(74)。所述多层再分布结构包括在所述多...
该专利属于QORVO美国公司所有，仅供学习研究参考，未经过QORVO美国公司授权不得商用。

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