【技术实现步骤摘要】
本说明书涉及半导体器件和技术。特别地，本说明书涉及金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)器件。
技术介绍
1、金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)器件在许多功率切换应用中使用。在典型的mosfet器件中，响应于所施加的栅极电压，栅极电极提供器件的导通和关断控制。例如，在n型增强型mosfet中，响应于超过固有阈值电压的正栅极电压，当在p型主体区中形成导电性n型反型层(即沟道区)时，发生导通。反型层将n型源极区连接到n型漏极区，并且允许这些区之间的多数载流子传导。
2、在沟槽mosfet器件中，栅极电极形成在从半导体材料诸如硅的主表面向下(例如，垂直向下)延伸的沟槽中。此外，屏蔽电极可形成在沟槽中的栅极电极下方。沟槽mosfet器件中的电流流动主要是垂直的(例如，在n掺杂漂移区中)。器件单元可例如包括包含栅极电极的沟槽和包含器件的漏极、源极、主体和沟道区的邻接台面。示例性沟槽mosfet器件可包括数百或数千个器件单元(各自包括沟槽和邻接台面)的阵列。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种包括多个器件单元的累积MOSFET，每个器件单元包括：
2.根据权利要求1所述的累积MOSFET，还包括：
3.根据权利要求1所述的累积MOSFET，还包括设置在所述顶台面部分中的所述累积沟道区上方的N+掺杂源极区和设置在所述底台面部分中的所述耗尽漂移区下方的N+掺杂漏极区。
4.根据权利要求1所述的累积MOSFET，其中栅极-源极电压Vgs＝0V完全夹断所述累积MOSFET，并且其中所述栅极电极具有大于5.0eV的功函数，并且其中所述栅极电极由P+掺杂多晶硅或者包括铜、铁、铂、钯或镍的金属制成。
5.根据权利要...
【技术特征摘要】
1.一种包括多个器件单元的累积mosfet，每个器件单元包括：
2.根据权利要求1所述的累积mosfet，还包括：
3.根据权利要求1所述的累积mosfet，还包括设置在所述顶台面部分中的所述累积沟道区上方的n+掺杂源极区和设置在所述底台面部分中的所述耗尽漂移区下方的n+掺杂漏极区。
4.根据权利要求1所述的累积mosfet，其中栅极-源极电压vgs＝0v完全夹断所述累积mosfet，并且其中所述栅极电极具有大于5.0ev的功函数，并且其中所述栅极电极由p+掺杂多晶硅或者包括铜、铁、铂、钯或镍的金属制成。
5.根据权利要求1所述的累积mosfet，其中所述栅极电极具有大于所述屏蔽电极的功函数的功函数。
6.根据权利要求1所述的累积mosfet，其中每...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·莫恩斯，B·帕德玛纳伯翰，D·E·普罗布斯特，P·文卡特拉曼，T·萨卡，G·H·洛切尔特，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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