温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开涉及垂直屏蔽栅极累积场效应晶体管。累积MOSFET包括多个器件单元。每个器件单元包括与设置在掺杂半导体衬底中的垂直沟槽邻接的台面。台面具有设置在底台面部分上的顶台面部分。顶台面部分具有比底台面部分的宽度窄的宽度。邻接该台面的垂直沟槽具...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。