【技术实现步骤摘要】
本公开涉及存储，特别是涉及一种失效判断电路及失效判断方法、阻变存储装置。
技术介绍
1、阻变存储装置（resistive random access memory，简称rram）是一种基于阻值变化来记录并存储数据信息的易失性或非易失性存储器，其具有高速度、低功耗的特点，并且可以在小尺寸下实现存储功能。阻变存储装置的制备工艺与传统互补型金属氧化物半导体（complementary metal-oxide-semiconductor，简称cmos）电路的制备工艺具有很好的兼容性。鉴于这些优点，阻变存储装置在当前智能化产品与物联网蓬勃发展的背景下变得尤为重要。然而，阻变存储装置也普遍面临写入错误、读干扰、读出错误和热稳定性等问题，为阻变存储装置的规模化应用增加了难度。
技术实现思路
1、基于此，本公开实施例提供了一种失效判断电路及失效判断方法、阻变存储装置，能够在判断阻变存储单元是否失效的同时减少擦写次数，以提高阻变存储装置的寿命，降低阻变存储装置的功耗，从而有利于实现阻变存储装置的规模化应用。
2、为本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种失效判断电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的失效判断电路，其特征在于，所述参考电阻选通电路包括：
3.如权利要求2所述的失效判断电路，其特征在于，所述第一参考电阻的阻值大于各所述阻变存储单元在高阻态时阻值第一平均值的十倍；所述第二参考电阻的阻值小于各所述阻变存储单元在低阻态时阻值第二平均值的十分之一。
4.如权利要求2或3所述的失效判断电路，其特征在于，所述基准开关电路和所述第一开关电路包括第一导电类型晶体管；所述第二开关电路包括第二导电类型晶体管；
5.如权利要求4所述的失效判断电路，其特征在于，所...
【技术特征摘要】
1.一种失效判断电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的失效判断电路，其特征在于，所述参考电阻选通电路包括：
3.如权利要求2所述的失效判断电路，其特征在于，所述第一参考电阻的阻值大于各所述阻变存储单元在高阻态时阻值第一平均值的十倍；所述第二参考电阻的阻值小于各所述阻变存储单元在低阻态时阻值第二平均值的十分之一。
4.如权利要求2或3所述的失效判断电路，其特征在于，所述基准开关电路和所述第一开关电路包括第一导电类型晶体管；所述第二开关电路包括第二导电类型晶体管；
5.如权利要求4所述的失效判断电路，其特征在于，所述第一导电类型晶体管包括nmos管，所述第二导电类型晶体管包括pmos管；所述第一控制电路包括用于提供第一高电平信号和第一低电平信号的第一电源电路，所述第二控制电路包括用于提供第二高电平信号的第二电源电路。
6.一种失效判断方法，其特征在于，包括：
7.如权利要求6所述的失效判断方法，其特征在于，所述参考电阻选通电路包括：基准参考电阻电路、第一参考电阻电路和第二参考电阻电路；其中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：张筱馨，
申请(专利权)人：杭州富芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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