一种介电质窗口及半导体设备制造技术

本发明专利技术提供了一种介电质窗口及半导体设备，包括：介电质层，所述介电质层包括贯穿所述介电质层的开孔；第一加热组件，所述第一加热组件嵌入所述介电质层内，且所述第一加热组件环绕所述开孔设置。本发明专利技术提供的技术方案，将第一加热组件嵌入在介电质层内部，进而在对第一加热组件进行上电后，控制介电质层自内向外加热，不仅能够提高对介电质窗口的加热效率，而且通过将第一加热组件呈环绕开孔设置，能够显著改善介电质窗口表面的温度分布均匀性，从而在提高了等离子体刻蚀工艺的稳定性的同时，还避免了对介电质窗口加热不均匀所引起的对反应腔造成颗粒污染和微量元素污染的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体设备，更为具体地说，涉及一种介电质窗口及半导体设备。

技术介绍

1、在电感耦合等离子体(inductive coupled plasma，或着简称icp)反应腔中，通过陶瓷窗口或着称为介电质窗口背面的电感天线的电磁耦合震荡，穿透陶瓷窗口激发反应腔内的反应气体形成等离子体，实现对晶圆进行等离子体刻蚀的目的。在等离子体蚀刻系统中，陶瓷窗口是反应腔和电感天线之间的关键部件和隔离界面。带有电感天线的陶瓷窗口与气体喷嘴结合，形成等离子体刻蚀设备的反应腔中的上电极，同时也作为气体分配板而具有输送反应气体进入反应腔的功能。通常，陶瓷窗口由高纯度氧化铝板制成，具有坚硬和结构稳定的特性。并且，陶瓷窗口与反应腔相接触的表面涂覆有耐等离子体刻蚀的涂层，如y2o3、yf3，等，以防止或减弱等离子体对陶瓷窗口的刻蚀，降低或消除由此引发的对反应腔造成污染的问题。在等离子体刻蚀工艺中，需要对陶瓷窗口进行加热实现更稳定的工艺过程，但是现有陶瓷窗口是通过在陶瓷窗口背面设置的加热器来实现对陶瓷窗口的加热。由于陶瓷窗口的厚度往往超过25毫米，通过陶瓷窗口背面加热器来实现对陶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种介电质窗口，应用于半导体设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的介电质窗口，其特征在于，所述介电质窗口还包括：

3.根据权利要求2所述的介电质窗口，其特征在于，在垂直所述介电质层所在面的方向上，且在所述第一加热组件至所述第N加热组件中，不同加热组件至同一平面的间距不同。

4.根据权利要求3所述的介电质窗口，其特征在于，所述介电质层包括朝向所述半导体设备的反应腔的加热面；

5.根据权利要求3所述的介电质窗口，其特征在于，所述介电质层包括第一子介电质层至第N+1子介电质层，第j加热组件位于第j子介电质层与第j+1子介电质层之间...

【技术特征摘要】

1.一种介电质窗口，应用于半导体设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的介电质窗口，其特征在于，所述介电质窗口还包括：

3.根据权利要求2所述的介电质窗口，其特征在于，在垂直所述介电质层所在面的方向上，且在所述第一加热组件至所述第n加热组件中，不同加热组件至同一平面的间距不同。

4.根据权利要求3所述的介电质窗口，其特征在于，所述介电质层包括朝向所述半导体设备的反应腔的加热面；

5.根据权利要求3所述的介电质窗口，其特征在于，所述介电质层包括第一子介电质层至第n+1子介电质层，第j加热组件位于第j子介电质层与第j+1子介电质层之间，j为不小于1且小于n的整数。

6.根据权利要求5所述的介电质窗口，其特征在于，所述第j子介电质层或所述第j+1子介电质层包括凹槽，所述第j加热组件位于所述凹槽中。

7.根据权利要求5所述的介电质窗口，其特征在于，在所述第一子介电质层至第n+1子介电质层中，所有子介电质层的材质相同；

8.根据权利要求5所述的介电质窗口，其特征在于，在所述第一子介电质层至第n+1子介电质层中，任意一子介电质层的材质包括al2o3、yag、yof和y2o3中至少一种。

9.根据权利要求2所述的介电质窗口，其特征在于，所述第一加热组件至所述第n加热组件的至少一个加热组件包括加热线。

10.根据权利要求9所述的介电质窗口，其特征在于，所述加热线的材质为金属、合金或陶瓷；

11.根据权利要求2所述的介电质窗口，其特征在于，所述介电质窗口还包括：

12.根据权利要求11所述的介电质窗口，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺小明，李雪冬，杨振，邹博，王聪，胡杰，钱俊，郑天成，胡冬冬，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：