【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造工艺，具体涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、直接飞行时间法(direct time of flight，dtof)传感器凭借其测量距离远，弱光性能好成为3d深度视觉技术发展的热门方向。直接飞行时间法发展初期以前入射技术(front side illuminated，fsi)为主。前入射技术由于大量金属连线的存在对进入传感器表面的光线存在较大的干扰，阻碍了相当一部分光线进入到下一层的光电二极管(photondiode，pd)，信噪比较低。随着技术改进后，发展了背面照度技术(back-side illuminated，bsi)，背面照度技术将金属连线转移到光电二极管的背面，光线可以直接进入光电二极管,因此可以大幅度提高信噪比，且可配合更复杂、更大规模电路来提升传感器读取速度。背面照度技术相比前入射技术性能已经有了很大提升,结合深沟槽隔离结构可以做到相邻感光区的光学和电学隔离。当光子进入感光区后，一部分进入pn结区发生雪崩，还有一部分未进入pn结区发生雪崩造成浪费。
2、然而，目前的光电传感器...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述感光区内具有光电掺杂区，所述第一面暴露出所述光电掺杂区；所述光电掺杂区的掺杂离子包括：砷、硼、碳、氟化硼、氟、磷、氮、铝、锗或锑。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一器件层还包括：第一介质层、位于所述第一介质层内的第一互连结构、以及位于所述第一介质层内的第一器件，所述第一器件与所述第一互连结构电连接。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一互连结构还与所述感光区电连接，且所述第二反射层与所述第一互连结构电绝缘
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【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述感光区内具有光电掺杂区，所述第一面暴露出所述光电掺杂区；所述光电掺杂区的掺杂离子包括：砷、硼、碳、氟化硼、氟、磷、氮、铝、锗或锑。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一器件层还包括：第一介质层、位于所述第一介质层内的第一互连结构、以及位于所述第一介质层内的第一器件，所述第一器件与所述第一互连结构电连接。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一互连结构还与所述感光区电连接，且所述第二反射层与所述第一互连结构电绝缘。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：与所述第一衬底键合连接的第二衬底，所述第二衬底具有相对的第三面与第四面，所述第四面朝向所述第一面相键合。
6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第四面表面的第二器件层；所述第二器件层包括：位于第二衬底表面的第四介质层、位于所述第四介质层内的第二互连结构、以及位于所述第四介质层内的第二器件，所述第二器件与所述第二互连结构电连接，且所述第二互连结构与所述第一互连结构电连接。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第一衬底与所述第一器件层之间的第二介质层；所述第二介质层包括氧化硅层以及位于所述氧化硅层表面的氮化硅层。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第一反射层侧壁表面的第三介质层，所述第三介质层位于感光区侧壁与所述第一反射层侧壁之间；所述第三介质层包括氧化层、高介电常数层中的一者或两者重叠。
9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一反射层的材料包括铝；所述第二反射层的材料包括铝。
10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第二面表面的透镜结构。
11.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述感光区内具有光电掺杂区，所述第一面暴露出所述光电掺杂区；所述光电掺杂区的掺杂离子包括：砷、硼、碳、氟化硼、氟、磷、氮、铝、锗或锑。
13.如权利要求12所述的半导体结构的...
【专利技术属性】
技术研发人员：李海山，王志高，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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