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一种半导体结构及其形成方法,其中形成方法包括:提供第一衬底,所述第一衬底具有相对的第一面与第二面,所述第一衬底包括若干感光区以及位于相邻感光区之间的隔离区;在各所述隔离区内形成第一反射层;在所述第一面表面形成第一器件层,所述第一器件层内具有...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及其形成方法,其中形成方法包括:提供第一衬底,所述第一衬底具有相对的第一面与第二面,所述第一衬底包括若干感光区以及位于相邻感光区之间的隔离区;在各所述隔离区内形成第一反射层;在所述第一面表面形成第一器件层,所述第一器件层内具有...