下载半导体结构及其形成方法的技术资料

文档序号:44531812

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体结构及其形成方法,其中形成方法包括:提供第一衬底,所述第一衬底具有相对的第一面与第二面,所述第一衬底包括若干感光区以及位于相邻感光区之间的隔离区;在各所述隔离区内形成第一反射层;在所述第一面表面形成第一器件层,所述第一器件层内具有...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。