【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电子电气,尤其涉及一种图像传感器和电子设备。
技术介绍
1、目前,主流的图像传感器分为电感耦合器件(coupled charge device,ccd)与互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,cmos)两大类。而随着cmos大规模集成电路(lsi)制造工艺的高速发展,cmos图像传感器能够与芯片的功能电路相集成,以实现智能cmos图像传感器。同时cmos图像传感器的集成度大幅提高,单位面积的像素数成倍增长。所以相较于ccd,cmos图像传感器具有更优越的成像性能。
2、随着消费市场对超高分辨率图像传感器的需求以及图像传感器小型化的发展趋势,加之半导体制造工艺技术的突飞猛进,共同导致cmos图像传感器的像素单元来到了亚微米级别。被极致压缩的像素单元,严重影响了像素单元中光电二极管感光面积的大小,从而影响像素的满阱容量(full well capacity)和填充因子(fill factor),使得图像传感器的信噪比(signal-to-noise rat
...【技术保护点】
1.一种图像传感器,其特征在于,所述图像传感器包括:
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,每条所述第一行向走线分别与一行像素电路中的每一个相连。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,每条所述第一行向走线与一行像素电路中连续多列的像素电路相连,所连接的像素电路位于同一行的不同所述复位开关连接同一条所述复位信号线。
4.根据权利要求3所述的图像传感器,其特征在于,每条所述第一行向走线所连接的所述像素电路的数量相同。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,至少一条所述第一行向走线包括至少两个走
...【技术特征摘要】
1.一种图像传感器,其特征在于,所述图像传感器包括:
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,每条所述第一行向走线分别与一行像素电路中的每一个相连。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,每条所述第一行向走线与一行像素电路中连续多列的像素电路相连,所连接的像素电路位于同一行的不同所述复位开关连接同一条所述复位信号线。
4.根据权利要求3所述的图像传感器,其特征在于,每条所述第一行向走线所连接的所述像素电路的数量相同。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,至少一条所述第一行向走线包括至少两个走线区段,所述第一行向走线在不同走线区段具有不同的走线宽度,且所述走线宽度正相关于所述走线区段与所在第一行向走线所连接的复位开关的第二端之间的距离。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述图像传感器还包括行驱动电路,所述行驱动电路包括多个复位信号输出端,所述多...
【专利技术属性】
技术研发人员:车璐强,郭宇辉,刘永顺,朱正华,张书阳,石博钇,周妤,徐晴,
申请(专利权)人:奇瑞汽车股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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