【技术实现步骤摘要】
本技术涉及化学气相沉积生长，尤其涉及一种冷却生长基台。
技术介绍
1、单晶金刚石具有极其优异的性能，在机械、电子、光学、导热等方面都具有广泛应用，自上世纪五十年代起，研究人员开发了多种金刚石制备方法，包括高温高压法、热丝法、dccvd法、mpcvd法等，其中mpcvd法被认为是制备高品质金刚石并实现其电子器件应用的最佳方法。
2、单晶金刚石片在培育过程中放置在沉积台上，沉积台包括基片台和钼环，单晶金刚石片在培育过程中籽晶温度需维持在一定的温度范围内，沉积台下方设置有冷却支撑台，基片台通过和冷却支撑台进行热传导从而合理控制单晶金刚石片的温度，因此冷却支撑台的冷却能力、冷却均匀性直接影响到单晶金刚石的合成质量。
3、但现有的冷却支撑台一般为铜台，包括分体式的铜台主体以及埋敷在铜台主体内的冷却管道，在冷却管道埋敷好后，将分体式的铜台主体通过焊接连接成整体式结构，这种冷却支撑台的铜台主体由于采用焊接连接，内部存在焊接应力，在使用过程中长期受热容易变形，而且为了避免过大的焊接变形，铜台主体所包含的分体厚度较厚，导致冷却能力差，且埋敷的冷却管道加工随机性大，导致基片台冷却不均匀，各单晶金刚石温差较大，影响生长质量和工艺控制。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种冷却生长基台，用于解决现有的冷却生长基台的冷却支撑台采用分体焊接埋敷冷却管道的结构形式容易变形、冷却效果不好的问题。
2、本技术的冷却生长基台采用如下技术方案：一种冷却生长基台，包括冷却支撑台，
3、进一步地，所述冷却支撑台上方贴合放置有导热板，导热板与冷却支撑台分体独立设置且覆盖冷却支撑台的上表面，导热板的上表面用于支撑沉积台。
4、进一步地，所述冷却通道为平面螺旋冷却通道。
5、进一步地，所述平面螺旋冷却通道为双螺旋冷却通道，双螺旋冷却通道的位于冷却支撑台边缘的两端连通，双螺旋冷却通道的位于冷却支撑台的中部位置的两端分别构成进出水口。
6、进一步地，所述平面螺旋冷却通道为单螺旋冷却通道，单螺旋冷却通道的进出水口分别位于冷却支撑台的边缘位置和中部位置。
7、进一步地，所述冷却通道靠近冷却支撑台的上表面设置。
8、进一步地，所述冷却支撑台为铜台。
9、进一步地，所述导热板为铜板。
10、本技术的冷却生长基台为全新设计的冷却生长基台，本技术的冷却生长基台的有益效果是：通过将冷却支撑台设置为3d打印成型的一体式冷却支撑台，提高了冷却支撑台的抗变形能力，且一体式冷却支撑台内打印成型有冷却通道，这样冷却通道为一体式成型而成，冷却通道的结构、位置等更加精确，保证冷却支撑台的冷却均匀性更好，一体式成型也可以使得冷却通道尽可能的靠近冷却支撑台的上表面设置，提高冷却支撑台的冷却能力，保证各单晶金刚石的温度均衡使得单晶金刚石的生长质量良好。
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1.一种冷却生长基台，其特征是，包括冷却支撑台，冷却支撑台为3D打印成型的一体式冷却支撑台，一体式冷却支撑台内打印成型有冷却通道，所述冷却通道为平面螺旋冷却通道。
2.根据权利要求1所述的冷却生长基台，其特征是，所述冷却支撑台上方贴合放置有导热板，导热板与冷却支撑台分体独立设置且覆盖冷却支撑台的上表面，导热板的上表面用于支撑沉积台。
3.根据权利要求1所述的冷却生长基台，其特征是，所述平面螺旋冷却通道为双螺旋冷却通道，双螺旋冷却通道的位于冷却支撑台边缘的两端连通，双螺旋冷却通道的位于冷却支撑台的中部位置的两端分别构成进出水口。
4.根据权利要求1所述的冷却生长基台，其特征是，所述平面螺旋冷却通道为单螺旋冷却通道，单螺旋冷却通道的进出水口分别位于冷却支撑台的边缘位置和中部位置。
5.根据权利要求1所述的冷却生长基台，其特征是，所述冷却通道靠近冷却支撑台的上表面设置。
6.根据权利要求1所述的冷却生长基台，其特征是，所述冷却支撑台为铜台。
7.根据权利要求2所述的冷却生长基台，其特征是，所述导热板为铜板。
【技术特征摘要】
1.一种冷却生长基台，其特征是，包括冷却支撑台，冷却支撑台为3d打印成型的一体式冷却支撑台，一体式冷却支撑台内打印成型有冷却通道，所述冷却通道为平面螺旋冷却通道。
2.根据权利要求1所述的冷却生长基台，其特征是，所述冷却支撑台上方贴合放置有导热板，导热板与冷却支撑台分体独立设置且覆盖冷却支撑台的上表面，导热板的上表面用于支撑沉积台。
3.根据权利要求1所述的冷却生长基台，其特征是，所述平面螺旋冷却通道为双螺旋冷却通道，双螺旋冷却通道的位于冷却支撑台边缘的两端连通，双...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔名扬，任丽，李宏利，方海江，
申请(专利权)人：河南天璇半导体科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：
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