【技术实现步骤摘要】
本技术涉及化学气相沉积生长，尤其涉及一种冷却生长基台。
技术介绍
1、单晶金刚石具有极其优异的性能，在机械、电子、光学、导热等方面都具有广泛应用，自上世纪五十年代起，研究人员开发了多种金刚石制备方法，包括高温高压法、热丝法、dccvd法、mpcvd法等，其中mpcvd法被认为是制备高品质金刚石并实现其电子器件应用的最佳方法。
2、单晶金刚石片在培育过程中放置在沉积台上，沉积台包括基片台和钼环，单晶金刚石片在培育过程中籽晶温度需维持在一定的温度范围内，沉积台下方设置有冷却支撑台，基片台通过和冷却支撑台进行热传导从而合理控制单晶金刚石片的温度，因此冷却支撑台的冷却能力、冷却均匀性直接影响到单晶金刚石的合成质量。
3、但现有的冷却支撑台一般为铜台，包括分体式的铜台主体以及埋敷在铜台主体内的冷却管道，在冷却管道埋敷好后，将分体式的铜台主体通过焊接连接成整体式结构，这种冷却支撑台的铜台主体由于采用焊接连接，内部存在焊接应力，在使用过程中长期受热容易变形，而且为了避免过大的焊接变形，铜台主体所包含的分体厚度较厚，导致冷却能力...
【技术保护点】
1.一种冷却生长基台，其特征是，包括冷却支撑台，冷却支撑台为3D打印成型的一体式冷却支撑台，一体式冷却支撑台内打印成型有冷却通道，所述冷却通道为平面螺旋冷却通道。
2.根据权利要求1所述的冷却生长基台，其特征是，所述冷却支撑台上方贴合放置有导热板，导热板与冷却支撑台分体独立设置且覆盖冷却支撑台的上表面，导热板的上表面用于支撑沉积台。
3.根据权利要求1所述的冷却生长基台，其特征是，所述平面螺旋冷却通道为双螺旋冷却通道，双螺旋冷却通道的位于冷却支撑台边缘的两端连通，双螺旋冷却通道的位于冷却支撑台的中部位置的两端分别构成进出水口。
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【技术特征摘要】
1.一种冷却生长基台，其特征是，包括冷却支撑台，冷却支撑台为3d打印成型的一体式冷却支撑台，一体式冷却支撑台内打印成型有冷却通道，所述冷却通道为平面螺旋冷却通道。
2.根据权利要求1所述的冷却生长基台，其特征是，所述冷却支撑台上方贴合放置有导热板，导热板与冷却支撑台分体独立设置且覆盖冷却支撑台的上表面，导热板的上表面用于支撑沉积台。
3.根据权利要求1所述的冷却生长基台，其特征是，所述平面螺旋冷却通道为双螺旋冷却通道，双螺旋冷却通道的位于冷却支撑台边缘的两端连通，双...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔名扬，任丽，李宏利，方海江，
申请(专利权)人：河南天璇半导体科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：
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