一种热压法制备NiFeWAl合金靶材的方法、NiFeWAl合金靶材技术

本发明专利技术属于磁存储靶材制造领域，公开了一种热压法制备NiFeWAl合金靶材的方法，将NiFeWAl合金粉末经热压烧结制备得到；所述NiFeWAl合金粉末中Ni原子的摩尔百分比为65％～75％；Fe原子的摩尔百分比为20％～30％；所述热压烧结的工艺参数为：将NiFeWAl合金粉末采用梯度升温法升温至1100℃～1200℃并保温，然后加压至30MPa～40MPa，继续保温保压90min～120min。通过使用合金粉末，降低原来带来的杂质问题，然后精准控制热压烧结过程中每一梯度的温度、压力，解决由于合金各组分熔点相差大导致常规熔炼和塑性变形带来的组分分布不均和变形能力差的问题，并且细化晶粒，从而制备出高性能的NiFeWAl合金靶材。同时，公开了一种NiFeWAl合金靶材。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于磁存储靶材制造领域，公开了一种热压法制备nifewal合金靶材的方法以及nifewal合金靶材。

技术介绍

1、磁控溅射是制备薄膜的主要技术之一，其具有薄膜纯度高，致密性好，结合力强等优点、被应用于各个领域中；薄膜的性能是由溅射靶材所决定的，可根据不同薄膜的用途选择对应的靶材，随着薄膜技术的发展，现有的靶材种类已不能满足人们所需；

2、nifewal合金靶材是一种应用于磁存储领域的靶材，属于ni-fe基合金材料，其中添加有w、al元素，目的是改善其性能，但也相应地增加了制造难度，使用以往熔炼锻造法制备得到的nifewal合金靶材存在着成分偏析、透磁率低等问题，因此，制备出高性能的nifewal合金靶材迫在眉睫。

3、所以，本案所需要解决的技术问题是：如何制备出高性能的nifewal合金靶材。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种热压法制备nifewal合金靶材的方法，通过提前制备合金粉末，然后精准控制热压烧结过程中的温度以及压力的变化，解决由于合金各组分熔点相差本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种热压法制备NiFeWAl合金靶材的方法，其特征在于，将NiFeWAl合金粉末经热压烧结制备；所述NiFeWAl合金粉末中Ni原子的摩尔百分比为65％～75％；Fe原子的摩尔百分比为20％～30％；

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述Ni原子的摩尔百分比为68％～75％，所述Fe原子的摩尔百分比为24％～30％。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的合金靶材中Ni、Fe、W、Al的摩尔百分比比例为65～75：20～30：4～6：1～2。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述的合金靶材中Ni、Fe、W、...

【技术特征摘要】

1.一种热压法制备nifewal合金靶材的方法，其特征在于，将nifewal合金粉末经热压烧结制备；所述nifewal合金粉末中ni原子的摩尔百分比为65％～75％；fe原子的摩尔百分比为20％～30％；

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述ni原子的摩尔百分比为68％～75％，所述fe原子的摩尔百分比为24％～30％。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的合金靶材中ni、fe、w、al的摩尔百分比比例为65～75：20～30：4～6：1～2。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述的合金靶材中ni、fe、w、al的摩尔百分比比例为68～75：24～30：4～6：1～2。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的合金粉末中氧元素含量≤500ppm，粉末粒度≤75um。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，热压烧结前还进行了抽真空操作，真空度≤100p...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄东长，王爽，颜艳艳，童培云，高建成，
申请(专利权)人：先导薄膜材料安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：