【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电器件，具体涉及一种光电耦合器件。
技术介绍
1、光电耦合器件是一种能够将电气信号和光信号相互转换的电子器件，主要由发射芯片(如发光二极管led)和接收芯片(如光敏晶体管、光敏电阻等)两部分组成，通过接收芯片接收发射芯片的光能，并进行光能转化，输出电流。
2、目前，光电耦合器件一般发光芯片与感光芯片被封装胶包覆在同一封装体内，内部封装结构配置为对照式或者反光式，一般对照式光电耦合器是在不同金属引线框架上固晶、焊线，然后翻转固定led芯片的金属框架，使发射端金属框架与接收端金属框架叠合，使发射芯片与接收芯片相对，然后注塑成型，将输入、输出引脚弯曲成型。反光式光电耦合器是在同片金属引线框架上固晶、焊线，然后使用透光封装胶包覆发射芯片和接收芯片，然后在外层注塑成型具有反射功能的封装胶体，最后将输入、输出引脚弯曲成型。
3、现有的封装结构，为满足安规绝缘距离，输入端与输出端都需要进行绝缘胶进行填充，二次塑封及二次胶体去废，存在双层支架及双层封胶体，器件尺寸及厚度受到限制，基于双层支架和双层封装胶的设置，使得光电耦合器件整体结构尺寸偏大，发光器件和受光器件之间的光能传输距离长，容易出现光能传输损耗，使得光电耦合器件的功率增大，影响器件使用寿命。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，本专利技术提供了一种光电耦合器件，通过在mos芯片上配置固晶正对的led芯片和光电发生器，缩短光电耦合器件内部光能传输路径，提高光传输效率，减少光能损耗
2、本专利技术提供了一种光电耦合器件，所述光电耦合器件包括：线路板、电性连接在所述线路板顶面的mos芯片、设置在所述mos芯片的光电发生器以及固定在所述光电发生器的led芯片；
3、所述led芯片的出光面朝向所述光电发生器的感光面，所述led芯片与所述光电发生器呈固晶正对布置，且所述led芯片基于焊线与所述线路板的输入端电性连接，所述光电发生器基于焊线与所述mos芯片电性连接。
4、进一步的，所述线路板包括基板和覆盖在基板上的线路层；
5、所述线路层包括用于连接所述led芯片的第一线路排布结构，以及用于连接所述光电发生器的第二线路排布结构。
6、进一步的，所述基板的厚度为h，所述h的取值范围是：0.1mm≤h≤0.5mm。
7、进一步的，所述第一线路排布机构包括设置在基板侧壁的第一圆弧开槽、设置在所述基板底面的第一金属层和设置在所述基板顶面的第二金属层；
8、所述第一金属层和所述第二金属层基于所述第一圆弧开槽电性连接，所述led芯片的正极端基于焊线与所述第二金属层电性连接，所述第一金属层配置为所述基板的第一输入引脚。
9、进一步的，所述第一线路排布结构还包括设置在基板侧壁的第二圆弧开槽、设置在所述基板底面的第三金属层和设置在所述基板顶面的第四金属层；
10、所述第三金属层和所述第四金属层基于所述第三圆弧开槽电性连接，所述led芯片的负极端基于焊线与所述第四金属层电性连接，所述第三金属层配置为所述基板的第二输入引脚。
11、进一步的，所述第二线路排布结构包括设置在基板侧壁的第三圆弧开槽、设置在所述基板底面的第五金属层；
12、所述第五金属层与所述第三圆弧开槽电性连接，所述第五金属层配置为所述基板的第一输出引脚。
13、进一步的，所述第二线路排布结构包括设置在基板侧壁的第四圆弧开槽、设置在所述基板底面的第六金属层；
14、所述第六金属层与所述第四圆弧开槽电性连接，所述第六金属层配置为所述基板的第二输出引脚。
15、进一步的，所述基板的顶面设置有第七金属层和第八金属层，所述第七金属层与所述第五金属层对应布置，所述第八金属层和所述第六金属层对应布置；
16、所述基板内设置有若干个电性连接通孔，若干个电性连接通孔划分为对称分布的第一电性连接通孔阵列和第二电性连接通孔阵列；
17、所述第五金属层和所述第七金属层之间基于所述第一电性连接通孔阵列电性连接；
18、所述第六金属层和所述第八金属层之间基于所述第二电性连接通孔阵列电性连接。
19、进一步的，所述mos芯片包括第一子芯片和第二子芯片，所述第一子芯片对应设置在所述第七金属层上，所述第二子芯片对应设置在所述第八金属层上；
20、所述第一子芯片与所述第七金属层电性连接，所述第二子芯片与所述第八金属层电性连接。
21、进一步的，所述第一子芯片基于导电粘胶固定在所述第一电性连接通孔所在的区域上，所述第二子芯片基于导电粘胶固定在所述第二电性连接通孔所在的区域上。
22、进一步的，所述第一子芯片的源级焊盘和所述第二子芯片的源极焊盘基于金属线键合连接。
23、进一步的，所述第一金属层和所述第五金属层之间的间距为h1，所述h1的取值范围为：0.5mm≤h1≤1mm；
24、所述第三金属层和所述第六金属层之间的间距为h2，所述h2的取值范围为：0.5mm≤h2≤1mm。
25、进一步的，所述第一金属层和所述第三金属层之间的间距为h3，所述h3的取值范围为：1.5mm≤h3≤5mm；
26、所述第五金属层和所述第六金属层之间的间距为h4，所述h4的取值范围为：1.5mm≤h4≤5mm。
27、进一步的，所述光电发生器的感光位置涂覆有透光层。
28、进一步的，所述透光层的厚度为h5，所述h5的取值范围为：15μm≤h5≤50μm。
29、进一步的，所述透光层的材质为二氧化硅，或所述透光层的材质为聚酰亚胺薄膜。
30、进一步的，所述光电耦合器件还包括点胶层，所述点胶层包覆在所述led芯片上。
31、进一步的，所述点胶层的材质为硅胶。
32、进一步的，所述光电耦合器件还包括塑封层，所述塑封层覆盖在所述线路板的顶面，且所述mos芯片、所述光电发生器和所述led芯片容纳在所述塑封层内。
33、进一步的，所述塑封层为不透光结构。
34、进一步的，所述塑封层的材质为环氧树脂。
35、本专利技术提供了一种光电耦合器件，通过在线路板上集成mos芯片、led芯片和光电发生器，基于线路板配置形成光电耦合器件的电性电极引脚，形成贴片式器件结构，使得所述光电耦合器件的结构紧凑，并在mos芯片上配置led芯片和光电发生器的固晶正对，缩短所述光电耦合器件内部的光传输路径短，提高光传输效率，使得器件触发电流成倍减小，能够有效降低光电耦合器件的使用功耗，延长光电耦合器件的使用寿命。
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1.一种光电耦合器件，其特征在于，所述光电耦合器件包括：线路板、电性连接在所述线路板顶面的MOS芯片、设置在所述MOS芯片的光电发生器以及固定在所述光电发生器的LED芯片；
2.如权利要求1所述的光电耦合器件，其特征在于，所述线路板包括基板和覆盖在基板上的线路层；
3.如权利要求2所述的光电耦合器件，其特征在于，所述基板的厚度为H，所述H的取值范围是：0.1mm≤H≤0.5mm。
4.如权利要求2所述的光电耦合器件，其特征在于，所述第一线路排布机构包括设置在基板侧壁的第一圆弧开槽、设置在所述基板底面的第一金属层和设置在所述基板顶面的第二金属层；
5.如权利要求4所述的光电耦合器件，其特征在于，所述第一线路排布结构还包括设置在基板侧壁的第二圆弧开槽、设置在所述基板底面的第三金属层和设置在所述基板顶面的第四金属层；
6.如权利要求5所述的光电耦合器件，其特征在于，所述第二线路排布结构包括设置在基板侧壁的第三圆弧开槽、设置在所述基板底面的第五金属层；
7.如权利要求6所述的光电耦合器件，其特征在于，所述第二线路排布
8.如权利要求7所述的光电耦合器件，其特征在于，所述基板的顶面设置有第七金属层和第八金属层，所述第七金属层与所述第五金属层对应布置，所述第八金属层和所述第六金属层对应布置；
9.如权利要求8所述的光电耦合器件，其特征在于，所述MOS芯片包括第一子芯片和第二子芯片，所述第一子芯片对应设置在所述第七金属层上，所述第二子芯片对应设置在所述第八金属层上；
10.如权利要求9所述的光电耦合器件，其特征在于，所述第一子芯片基于导电粘胶固定在所述第一电性连接通孔所在的区域上，所述第二子芯片基于导电粘胶固定在所述第二电性连接通孔所在的区域上。
11.如权利要求9所述的光电耦合器件，其特征在于，所述第一子芯片的源级焊盘和所述第二子芯片的源极焊盘基于金属线键合连接。
12.如权利要求7所述的光电耦合器件，其特征在于，所述第一金属层和所述第五金属层之间的间距为h1，所述h1的取值范围为：0.5mm≤h1≤1mm；
13.如权利要求7所述的光电耦合器件，其特征在于，所述第一金属层和所述第三金属层之间的间距为h3，所述h3的取值范围为：1.5mm≤h3≤5mm；
14.如权利要求1所述光电耦合器件，其特征在于，所述光电发生器的感光位置涂覆有透光层。
15.如权利要求14所述的光电耦合器件，其特征在于，所述透光层的厚度为h5，所述h5的取值范围为：15μm≤h5≤50μm。
16.如权利要求15所述的光电耦合器件，其特征在于，所述透光层的材质为二氧化硅，或所述透光层的材质为聚酰亚胺薄膜。
17.如权利要求1所述的光电耦合器件，其特征在于，所述光电耦合器件还包括点胶层，所述点胶层包覆在所述LED芯片上。
18.如权利要求17所述的电光耦合器，其特征在于，所述点胶层的材质为硅胶。
19.如权利要求1所述的光电耦合层，其特征在于，所述光电耦合器件还包括塑封层，所述塑封层覆盖在所述线路板的顶面，且所述MOS芯片、所述光电发生器和所述LED芯片容纳在所述塑封层内。
20.如权利要求19所述的光电耦合器件，其特征在于，所述塑封层为不透光结构。
21.如权利要求20所述的光电耦合器件，其特征在于，所述塑封层的材质为环氧树脂。
...【技术特征摘要】
1.一种光电耦合器件，其特征在于，所述光电耦合器件包括：线路板、电性连接在所述线路板顶面的mos芯片、设置在所述mos芯片的光电发生器以及固定在所述光电发生器的led芯片；
2.如权利要求1所述的光电耦合器件，其特征在于，所述线路板包括基板和覆盖在基板上的线路层；
3.如权利要求2所述的光电耦合器件，其特征在于，所述基板的厚度为h，所述h的取值范围是：0.1mm≤h≤0.5mm。
4.如权利要求2所述的光电耦合器件，其特征在于，所述第一线路排布机构包括设置在基板侧壁的第一圆弧开槽、设置在所述基板底面的第一金属层和设置在所述基板顶面的第二金属层；
5.如权利要求4所述的光电耦合器件，其特征在于，所述第一线路排布结构还包括设置在基板侧壁的第二圆弧开槽、设置在所述基板底面的第三金属层和设置在所述基板顶面的第四金属层；
6.如权利要求5所述的光电耦合器件，其特征在于，所述第二线路排布结构包括设置在基板侧壁的第三圆弧开槽、设置在所述基板底面的第五金属层；
7.如权利要求6所述的光电耦合器件，其特征在于，所述第二线路排布结构包括设置在基板侧壁的第四圆弧开槽、设置在所述基板底面的第六金属层；
8.如权利要求7所述的光电耦合器件，其特征在于，所述基板的顶面设置有第七金属层和第八金属层，所述第七金属层与所述第五金属层对应布置，所述第八金属层和所述第六金属层对应布置；
9.如权利要求8所述的光电耦合器件，其特征在于，所述mos芯片包括第一子芯片和第二子芯片，所述第一子芯片对应设置在所述第七金属层上，所述第二子芯片对应设置在所述第八金属层上；
10.如权利要求9所述的光电耦合器件，其特征在于，所述第一子芯片基于导电...
【专利技术属性】
技术研发人员：喻晓鹏，朱明军，李玉容，雷国文，麦家儿，张广添，钟诗琴，杨璐，李丹伟，
申请(专利权)人：佛山市国星光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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