【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体是涉及一种研磨垫沟槽深度的检测方法。
技术介绍
1、化学机械平坦化即cmp,是能够对半导体元件(如晶圆)实现全局平坦化的工艺技术。cmp设备包括研磨盘和抛光头，研磨盘上设置有研磨垫，抛光头吸附晶圆至研磨垫上，通过抛光头与研磨盘的相对移动或相对转动，使晶圆表面实现平坦化。
2、所述研磨垫表面设有众多沟槽，随着平坦化工艺的进行，沟槽会逐渐地变薄消耗，当研磨垫使用一定时间后，晶圆的平坦化效率变得非常差。因此，研磨垫是一种耗材，研磨垫的使用寿命是一个非常重要的因素，需要及时更换新的研磨垫，从而继续加工晶圆，保证工厂的产出。
3、现有技术一般在cmp设备停机时，人工用工具去测量研磨垫沟槽的深度，以此判断沟槽的消耗情况，确定是否需要更换新的研磨垫。该检测方法需要人工测量，不仅效率低下，而且还容易污染研磨垫。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种工作效率高且不会污染研磨垫的研磨垫沟槽深度的检测方法。
2、为了实现上述的目的，本专利技术...
【技术保护点】
1.一种研磨垫沟槽深度的检测方法，包括研磨盘和抛光头，所述研磨盘上设置有研磨垫，所述抛光头设置在所述研磨垫上方，其特征在于，所述检测方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的研磨垫沟槽深度的检测方法，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的研磨垫沟槽深度的检测方法，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的研磨垫沟槽深度的检测方法，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的研磨垫沟槽深度的检测方法，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的研磨垫沟槽深度的检测方法，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的研磨垫...
【技术特征摘要】
1.一种研磨垫沟槽深度的检测方法，包括研磨盘和抛光头，所述研磨盘上设置有研磨垫，所述抛光头设置在所述研磨垫上方，其特征在于，所述检测方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的研磨垫沟槽深度的检测方法，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的研磨垫沟槽深度的检测方法，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的研磨垫沟槽深度的检测方法，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的研磨垫沟槽深度的检测方法，其特征在于：
【专利技术属性】
技术研发人员：陈婷，
申请(专利权)人：星钥珠海半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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