钙钛矿晶硅叠层太阳能电池晶硅底电池的制备方法及电池技术

本发明专利技术具体公开了一种钙钛矿晶硅叠层太阳能电池晶硅底电池的制备方法及电池，涉及太阳能电池技术领域，其方法包括：对硅片进行双面抛光、背面硼扩散、去除正面BSG层、正面制备隧穿氧化硅层和磷掺杂的poly硅层、正面沉积掩膜SiO<subgt;x</subgt;层、激光制绒、腐蚀去除损伤、去除多余层、背面沉积膜层以及印刷电极与烧结等步骤。本发明专利技术通过在抛光面上制备poly‑Si/SiO<subgt;2</subgt;钝化接触结构，并在poly‑Si/SiO<subgt;2</subgt;钝化接触结构的表面沉积掩膜SiOx层，以及在钝化接触结构基础上激光制备陷光结构，有效解决了TOPCON底电池前表面钝化性能差、寄生吸收及陷光结构与钝化和钙钛矿叠加的矛盾等问题，提高了电池性能，在钙钛矿叠层太阳能电池技术领域具有重要意义。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池，尤其涉及一种钙钛矿晶硅叠层太阳能电池晶硅底电池的制备方法及电池。

技术介绍

1、在高效晶硅电池领域，隧穿氧化层钝化接触太阳能电池(topcon)基于选择性载流子原理，其电池结构为n型硅衬底电池，背面的超薄氧化硅和掺杂多晶硅薄层形成的钝化接触结构有效降低了表面复合和金属接触复合，具有高少子寿命、高金属污染容忍度、低衰减、低表面复合速率等优势，成为叠层电池中硅底电池的理想选择。

2、目前，钙钛矿晶硅叠层太阳能电池技术多采用串联方式构建，晶硅电池作为底电池，钙钛矿作为顶电池，两者由复合层或隧穿层连接，光从钙钛矿端入射。然而，典型的钙钛矿/topcon叠层太阳能电池存在诸多缺陷。topcon电池的poly-si/siox接触结构置于底电池前表面时，多晶硅层的光学吸收特性导致显著寄生吸收，降低了晶硅层子电池的光生电流密度。为提高光生电流密度而降低多晶硅膜厚，又会使多晶硅层的钝化性能变差，降低钙钛矿叠层晶硅电池整体的开压。此外，为增强晶硅电池的陷光能力制作绒面结构时，一方面绒面结构复合较大需要更厚的poly硅层进行钝化，这与降低p本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种钙钛矿晶硅叠层太阳能电池晶硅底电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S7中激光制绒形成凹陷结构的深度大于所述S6中掩膜SiOx层的厚度，小于所述S6中掩膜SiOx层与所述S4中掺杂磷的poly硅层的厚度之和。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S1中N型硅片的电阻率为0.5-5Ω/cm2，厚度为100-200μm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S2中硼扩散沉积的温度为800～1000℃，时间为20～60分钟，硼掺杂单晶硅层的方块电阻为200～400Ω/...

【技术特征摘要】

1.一种钙钛矿晶硅叠层太阳能电池晶硅底电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述s7中激光制绒形成凹陷结构的深度大于所述s6中掩膜siox层的厚度，小于所述s6中掩膜siox层与所述s4中掺杂磷的poly硅层的厚度之和。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述s1中n型硅片的电阻率为0.5-5ω/cm2，厚度为100-200μm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述s2中硼扩散沉积的温度为800～1000℃，时间为20～60分钟，硼掺杂单晶硅层的方块电阻为200～400ω/cm2，硼掺杂单晶硅层的厚度为0.5～1.5μm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述s4中遂穿氧化层的厚度为1～2nm；磷掺杂的poly硅层的厚度为20～100nm，磷掺杂浓度范围为(0.1～2.0)e21。

6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓加晓，
申请(专利权)人：滁州捷泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：