一种电介质陶瓷材料、其制备方法及片式多层陶瓷电容器技术

本发明专利技术公开了一种电介质陶瓷材料、其制备方法及片式多层陶瓷电容器，使用该电介质陶瓷材料制备的多层片式陶瓷电容器具有优异的力学和电学性能。本发明专利技术电介质陶瓷材料，其包含80～98％钛酸钡，1～10％锆酸铋和1～10％钛酸钴，将该电介质陶瓷材料用于多层片式陶瓷电容器时，介电常数能达到2600以上，抗弯曲强度达到5.6Kgf以上，抗折强度达到7.8mm以上，耐压达到3KV以上，满足X7R的要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子陶瓷元器件，特别涉及一种电介质陶瓷材料、其制备方法及片式多层陶瓷电容器。

技术介绍

1、近年来，笔记本电脑、卫星通讯、智能手机和穿戴设备等电子产品迅猛发展，多层片式陶瓷电容器作为一种基础电路电子元件也相应获得了高速发展，市场需求越来越大。

2、钛酸钡，作为多层片式陶瓷电容器中广泛应用的基体材料，以其卓越的介电常数著称。在多层片式陶瓷电容器的生产过程中，钛酸钡通常以粉体形式被调配成浆料，随后通过流延工艺制成膜片。这些膜片再经过电极印刷、叠层、压合及切割等工序，形成具有特定形状和尺寸的生坯，并最终通过烧结转化为陶瓷。目前，钛酸钡陶瓷存在一个普遍问题，即抗弯曲强度不足。在器件的组装和后续应用中，任何可能引发的弯曲形变都可能导致陶瓷体开裂，进而造成多层片式陶瓷电容器产品的失效。尽管通过添加某些添加剂可以增强钛酸钡陶瓷的机械性能，但这种做法往往以牺牲其优异的电性能和击穿场强为代价。

3、因此，当前仍迫切需要开发一种能够同时拥有优异力学性能、电性能以及高击穿场强的钛酸钡陶瓷材料。

>技术实现思路...

【技术保护点】

1.一种电介质陶瓷材料，其特征在于：所述电介质陶瓷材料包括如下摩尔百分比的组分：80～98％钛酸钡，1～10％锆酸铋和1～10％钛酸钴。

2.如权利要求1所述的电介质陶瓷材料，其特征在于：所述电介质陶瓷材料包括如下摩尔百分比的组分：钛酸钡90～98％，5～10％锆酸铋和5～10％钛酸钴。

3.如权利要求1所述的电介质陶瓷材料，其特征在于：所述电介质陶瓷材料的粒径D50为1-500nm。

4.如权利要求1所述的电介质陶瓷材料，其特征在于：所述电介质陶瓷材料的比表面为1.5-12.5m2/g。

5.如权利要求1-4任一项所述电介质陶瓷材料的制备...

【技术特征摘要】

1.一种电介质陶瓷材料，其特征在于：所述电介质陶瓷材料包括如下摩尔百分比的组分：80～98％钛酸钡，1～10％锆酸铋和1～10％钛酸钴。

2.如权利要求1所述的电介质陶瓷材料，其特征在于：所述电介质陶瓷材料包括如下摩尔百分比的组分：钛酸钡90～98％，5～10％锆酸铋和5～10％钛酸钴。

3.如权利要求1所述的电介质陶瓷材料，其特征在于：所述电介质陶瓷材料的粒径d50为1-500nm。

4.如权利要求1所述的电介质陶瓷材料，其特征在于：所述电介质陶瓷材料的比表面为1.5-12.5m2/g。

5.如权利要求1-4任一项所述电介质陶瓷材料的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱恒，马晓晶，朱琳，邢晶，潘洁，黄心怡，王亚平，高春晓，王正宇，田慧娟，苏芮，
申请(专利权)人：山东国瓷功能材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：