【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种非接触式等离子体监测方法以及使用该方法的非接触式等离子体监测装置。
技术介绍
1、当操作等离子体发生器时，采用在等离子体反应器内直接设置诊断装置的方法来测量等离子体的电子密度或电子温度等的等离子体状态。在这种情况下，根据工艺条件，会发生诊断装置的污染。此外，在执行工艺的途中应用诊断设备时，可能会存在降低工艺的稳定性，并会引入杂质的可能性。因此，需要一种在等离子体发生器的外部测量等离子体状态的方法。
技术实现思路
1、本专利技术的一目的在于，提供一种非接触式等离子体监测方法，所述方法可在等离子体反应器的内部不设置诊断装置的情况下，测量等离子体状态。
2、本专利技术的另一目的在于，提供一种实现所述非接触式等离子体监测方法的非接触式等离子体监测装置。
3、根据一侧面，本专利技术提供一种非接触式等离子体监测方法，其包括：第一步骤，在包括天线(antenna)的电感耦合等离子体(inductively coupled plasma；icp)发生器的外部配置一...
【技术保护点】
1.一种非接触式等离子体监测方法，其中，包括：
2.根据权利要求1所述的非接触式等离子体监测方法，其中，所述天线形成在所述电感耦合等离子体发生器的至少一平面上，
3.根据权利要求1所述的非接触式等离子体监测方法，其中，所述n为1，
4.根据权利要求3所述的非接触式等离子体监测方法，其中，在所述第一步骤中配置2个以上的所述RF传感器，
5.根据权利要求2所述的非接触式等离子体监测方法，其中，在所述第三步骤中，通过所述n次谐波的振幅值变化是否超过预设水平来确认杂质是否引入所述等离子体中。
6.根据权利要求5所述的...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种非接触式等离子体监测方法，其中，包括：
2.根据权利要求1所述的非接触式等离子体监测方法，其中，所述天线形成在所述电感耦合等离子体发生器的至少一平面上，
3.根据权利要求1所述的非接触式等离子体监测方法，其中，所述n为1，
4.根据权利要求3所述的非接触式等离子体监测方法，其中，在所述第一步骤中配置2个以上的所述rf传感器，
5.根据权利要求2所述的非接触式等离子体监测方法，其中，在所述第三步骤中，通过所述n次谐波的振幅值变化是否超过预设水平来确认杂质是否引入所述等离子体中。
6.根据权利要求5所述的非接触式等离子体监测方法，其中，所述n为5或6。
7.一种非接...
【专利技术属性】
技术研发人员：金大喆，金荣宇，金钟植，金龙铉，尹亭植，朴钟培，辛钟讨，
申请(专利权)人：韩国核融合能源研究院，
类型：发明
国别省市：
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