导电性粉末的等离子体表面处理装置制造方法及图纸

公开一种导电性粉末的等离子体表面处理装置。所述导电性粉末的等离子体表面处理装置，包括：反应室，其垂直截面呈漏斗形，具备下端的线性进气口和上端的排气口；以及等离子体射流发生装置，位于所述线性进气口的下方，并被构成为通过所述线性进气口将等离子体射流以从下至上方吐出至所述反应室中，在所述反应室内容纳粉末，通过所述等离子体射流悬浮而被等离子体处理。等离子体处理。等离子体处理。

Plasma surface treatment device for conductive powder

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】导电性粉末的等离子体表面处理装置


[0001]本专利技术涉及一种粉末的等离子体表面处理装置，更具体地，涉及一种均匀地混合导电性粉末以不位于2个电极之间,同时用等离子体射流进行表面处理的导电性粉末的等离子体表面处理装置。

技术介绍

[0002]以往，通常有如下方法；即粉末通过与存在等离子体的电极绝缘的路径内的同时，进行粉末的表面处理，或者被构成为载气沿着循环路径循环，在该路径内存在等离子体，使粉末沿着载气循环的路径循环的同时，实施粉末的表面处理的方法。
[0003]然而，这些粉末的表面处理方法，设备体积增加或者粉末沿路径移动时混合不均匀。即，由于粉末在沿所述路径移动时仅向一个方向移动，因此，一些粉末呈团移动，导致粉末混合不均匀。
[0004]另一方面，导电性粉末的表面处理困难。这是因为在导电性粉末存在于用于产生等离子体的电极之间时，用于产生等离子体的电极和导电性粉末之间会被导电性粉末产生电干扰，从而，存在难以产生等离子体的问题。
[0005]因此，现有的用于处理导电性粉末的表面的技术只能在外表面存在电极的反应器内进行处理，此时，在反应器内产生的等离子体的密度会很变弱，若在这种等离子体环境下对粉末进行表面处理，则粉末的表面处理时间较长，难以对粉末的表面进行均匀的处理。
[0006]因此，在反应器内对粉末进行表面处理时，试图采用悬浮粉末的技术来实现粉末的均匀的表面处理，但是，这无非是将粉末分散，由于在密度微弱的等离子体环境下对粉末进行表面处理，因此，对粉末进行均匀地表面处理仍然存在问题。r/>
技术实现思路

[0007]因此，本专利技术所要解决的问题在于，提供一种导电性粉末的等离子体表面处理装置，所述装置通过将导电性粉末悬浮预定时间以及由重力下落，来实现粉末的均匀混合，同时，使导电性粉末与等离子体射流直接接触，来对导电性粉末进行均匀地表面处理。
[0008]根据本专利技术的一实施例的导电性粉末的等离子体表面处理装置，其中，包括：反应室，其垂直截面呈漏斗形，具备下端的线性进气口和上端的排气口；以及等离子体射流发生装置，位于所述线性进气口的下方，并被构成为通过所述线性进气口将等离子体射流以从下至上方吐出至所述反应室中，在所述反应室内容纳粉末，通过所述等离子体射流悬浮而被等离子体处理。
[0009]在一实施例中，所述粉末可以为导电性粉末，所述导电性粉末可以为碳颗粒。
[0010]本专利技术所要达成的目的在于，在处理导电性粉末时，使导电性粉末不位于用于产生等离子体的电极之间，并且，均匀地混合导电性粉末的同时与等离子直接接触，从而，均匀地处理粉末的表面，为了达成所述目的，本专利技术的技术特征在于，经过通过等离子体射流悬浮导电性粉末，悬浮后，由重力下落的过程，均匀地混合导电性粉末的同时，与等离子体
射流直接接触。
[0011]在一实施例中，所述等离子体射流是氮气或空气的等离子体射流，所述导电性粉末可以经由亲水表面处理。
[0012]在一实施例中，还可以包括线性气体注入口，所述线性气体注入口可以向所述进气口和所述等离子体射流发生装置之间注入所述附加气体，使得附加气体与所述等离子体射流一起从所述线性进气口吐出到所述反应室中。
[0013]在一实施例中，所述线性气体注入口可以由在两侧相对的2个注入口而构成，所述2个注入口在所述进气口汇合。
[0014]在一实施例中，所述附加气体可以包含液态前体和载气。
[0015]在一实施例中，所述附加气体包括待涂覆在所述导电性粉末上的材料，所述导电性粉末上可以涂有所述待涂覆的材料。
[0016]在一实施例中，所述附加气体可以包括HMDSO、TEOS及TMS中的任一种以及载气，所述导电性粉末上可以涂覆硅。
[0017]在一实施例中，所述等离子体射流发生装置，包括：2个电极，彼此相对隔开预定间隔，形成线性间隙；电压施加装置，用于向所述2个电极施加电压以在所述2个电极之间产生等离子体；以及DBD装置，包括用于产生等离子体射流的放电气体注入口，以在所述2个电极之间注入等离子体放电气体，
[0018]所述等离子体射流发生装置的所述2个电极之间的线性间隙可沿所述线性进气口的长度方向布置在所述线性进气口的下方。
[0019]在一实施例中，所述线性间隙的大小可以为0.1至2mm。
[0020]在一实施例中，所述排气口可以具备过滤器，所述过滤器被构成为只让气体通过，而粉末不能通过。
[0021]专利技术效果
[0022]根据本专利技术的导电性粉末的等离子体表面处理装置，具有粉末通过等离子体射流反复悬浮以及由重力下落的同时被均匀混合，并且，表面与等离子体射流反复接触，来对粉末的整个表面进行均匀的等离子体处理的优点。
附图说明
[0023]图1为示出根据本专利技术的一实施例的导电性粉末的等离子体表面处理装置的结构的截面图。
[0024]图2为示出根据本专利技术的一实施例的导电性粉末的等离子体表面处理装置的外观的立体图。
[0025]图3为图2的沿A
‑
A`线的截面图。
[0026]图4为根据实施例1对导电性粉末进行表面处理后，在经过亲水性表面处理的纯净水中的导电性粉末的状态。
[0027]图5为示出导电性粉末的表面处理前的EDS映射结果以及根据实施例2导电性粉末经表面处理后的EDS映射结果。
具体实施方式
[0028]下面，参照附图详细说明根据本专利技术的实施例的导电性粉末的等离子体表面处理装置。对本专利技术可进行多种变更并且可具有多种形态，因而在附图中例示并在本说明书中详细说明特定实施例。但应当理解，这并非将本专利技术限定在特定的公开方式，而是包括包含在本专利技术的思想及技术范围之内的所有变更、等同技术方案及替代方案。在说明附图时，对类似的构成要素标注类似的附图标记。在附图中，为了明确本专利技术，将结构的尺寸比实际放大表示。
[0029]第一、第二等术语可用于说明多种构成要素，但所述构成要素并不局限于所述术语。所述术语可以以从其他构成要素区分一个构成要素为目的而使用，例如在不脱离本专利技术的权利范围的情况下，第一构成要素可以被称为第二构成要素，类似地，第二构成要素也可以被称为第一构成要素。
[0030]本申请中所使用的术语仅用于说明特定实施例，而并非限定本专利技术。除非在文脉上明确表示不同的含义，单数的表达包括复数的表达。在本申请中，“包括”或“具有”等术语所要指定实施的特征、数字、步骤、动作、构成要素、部件或这些组合的存在，而不得理解为排除一个或一个以上的其他特征或数字、步骤、动作、构成要素、部件或这些组合的存在或附加可能性。
[0031]除非另有定义，包含技术术语及科学术语在内的使用于本申请的所有术语具有与本专利技术所属
的技术人员普遍理解的含义相同的含义。在普遍使用的词典中所定义的术语应解释为具有与相关技术的文脉上所具有的含义一致的含义，并且，除非在本申请中明确定义，则不应以理想性或过于公式化的含义来进行解释。
[0032]图1为示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种粉末的等离子体表面处理装置，其特征在于，包括：反应室，其垂直截面呈漏斗形，具备下端的线性进气口和上端的排气口；以及等离子体射流发生装置，位于所述线性进气口的下方，并被构成为通过所述线性进气口将等离子体射流以从下至上方吐出至所述反应室中，在所述反应室内容纳粉末，通过所述等离子体射流悬浮而被等离子体处理。2.根据权利要求1所述的粉末的等离子体表面处理装置，其特征在于，所述粉末为导电性粉末。3.根据权利要求2所述的粉末的等离子体表面处理装置，其特征在于，所述导电性粉末为碳颗粒。4.根据权利要求2所述的粉末的等离子体表面处理装置，其特征在于，所述等离子体射流是氮气或空气的等离子体射流，所述导电性粉末经过亲水表面处理。5.根据权利要求1所述的粉末的等离子体表面处理装置，其特征在于，进一步包括线性气体注入口，所述线性气体注入口可以向所述进气口和所述等离子体射流发生装置之间注入所述附加气体，使得附加气体与所述等离子体射流一起从所述线性进气口吐出到所述反应室中。6.根据权利要求5所述的粉末的等离子体表面处理装置，其特征在于，所述线性气体注入口由在两侧相对的2个注入口而构成，所述2个注入口在所述进气口汇合。7.根据权利要求5所述的粉末的等离...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳承烈，崔镕燮，郑熔镐，石东篡，李康逸，
申请(专利权)人：韩国核融合能源研究院，
类型：发明
国别省市：