【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制作领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
1、随着近年来智能家用电器、家居互联和电动汽车市场持续走热，市场对bcd(bipolar cmosdmos)工艺集成电路芯片的需求大大增加。外延工艺是bcd工艺集成电路制造前段的重要环节，因此市场对外延工艺的要求也在日渐增高。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法，以改善外延层的质量。
2、为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底内形成阱区，所述阱区内具有第一离子；采用第一气体在预设条件下对所述衬底表面进行冲洗，所述第一气体包括第二离子，所述第二离子与所述第一离子的导电类型相反；采用第一气体在预设条件下对所述衬底表面进行冲洗之后，采用第一外延工艺在衬底表面形成外延层，所述第一外延工艺的反应气体包括第一气体，所述外延层内具有第二离子。
3、可选的，所述预设条件包括：温度范围为1000摄氏度至机台允许的最高温度...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述预设条件包括：温度范围为1000摄氏度至机台允许的最高温度；流量范围为500sccm至机台允许的最高流量；时间范围为60秒至200秒。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，机台允许的最高温度为1160摄氏度。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子包括N型离子，所述N型离子包括磷离子、砷离子和锑离子中一种或多种的组合。
5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述预设条件包括：温度范围为1000摄氏度至机台允许的最高温度；流量范围为500sccm至机台允许的最高流量；时间范围为60秒至200秒。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，机台允许的最高温度为1160摄氏度。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子包括n型离子，所述n型离子包括磷离子、砷离子和锑离子中一种或多种的组合。
5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二离子包括p型离子，所述p型离子包括硼离子。
6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一气体包括硼烷；所述第一外延工艺参数包括：反应气体包括硅源气体、载气和第一气体，所述硅源气体包括二氯二氢硅或三氯氢硅，所述载气包括氢气；反应压力范围为20托尔至80托尔，或者反应压力范围为750托尔至780托尔。
7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子包括p型离子，所述p型离子包括硼离子和铟离子中一种或两种的组合。
8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二离子包括n型离子，所述n型离子包括磷离子、砷离子或锑离子。
9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一气体包括磷烷；所述第一外延工艺参数包括：反应气体包括硅源气体、载气和第一气体，所述硅源气体包括二氯二氢硅或三氯氢硅，所述载气包括氢...
【专利技术属性】
技术研发人员：白湛铎，李磊，高硕，胡永辉，查泽奇，徐锴，汪杰，纪宁，王振辉，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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