【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，例如涉及一种基材处理系统及半导体镀膜设备。
技术介绍
1、在半导体产品加工过程中，需要对半导体基材进行相应的工艺处理，例如蚀刻工艺处理、化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)工艺处理、又或者等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition，pecvd)工艺处理等。其中，在进行上述工艺处理中，均需要清理在沉积工艺期间所形成的残余物。
2、相关技术中通常采用远程等离子体源(remote plasma source，rps)产生清洁气体，清洁气体通过顶部的喷淋装置注入至反应腔室内，以清理反应腔内壁沉积的薄膜。又比如相关技术中公开一种真空处理系统，包括带有进口、至少第一和第二出口的真空腔室，在出口中的第一个出口处的排气装置和远程等离子体源，其中远程等离子体源被附连于到出口中的第二个出口的连接点。
3、在实现本公开实施例的过程中，发现相关技术中至少存在如下问题：
4、由于喷淋装置与抽气装置的连接...
【技术保护点】
1.一种基材处理系统，其特征在于，包括反应腔，在所述反应腔的腔壁上设置有进气口和出气口，所述进气口位于待清洁区域的侧方，所述基材处理系统还包括：
2.根据权利要求1所述的基材处理系统，其特征在于，所述输气结构包括：
3.根据权利要求2所述的基材处理系统，其特征在于，所述第二输气端通过输气管段与所述抽气结构连通；所述输气结构还包括：
4.根据权利要求3所述的基材处理系统，其特征在于，所述限流组件包括限流垫片和/或限流管段。
5.根据权利要求1至4任一项所述的基材处理系统，其特征在于，所述抽气结构包括：
6.根据...
【技术特征摘要】
1.一种基材处理系统，其特征在于，包括反应腔，在所述反应腔的腔壁上设置有进气口和出气口，所述进气口位于待清洁区域的侧方，所述基材处理系统还包括：
2.根据权利要求1所述的基材处理系统，其特征在于，所述输气结构包括：
3.根据权利要求2所述的基材处理系统，其特征在于，所述第二输气端通过输气管段与所述抽气结构连通；所述输气结构还包括：
4.根据权利要求3所述的基材处理系统，其特征在于，所述限流组件包括限流垫片和/或限流管段。
5.根据权利要求1至4任一项所述的基材处理系统，其特征在于，所述抽气结构包括：
6.根据权利要求5所述的基材处理系统，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：荒见淳一，
申请(专利权)人：江苏微导纳米科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。