存储芯片的时序参数确定方法及控制器、设备、介质技术

本申请公开了一种存储芯片的时序参数确定方法及控制器、设备、介质，涉及芯片测试技术领域。方法包括基于由初始发送延时与初始步进值确定的当前发送时延进行行列位置确定处理确定存储位置；根据基于存储位置和测试码型进行读写校验得到的校验结果，更新得到更新延时测试范围、更新步进值；更新延时测试范围包括第三端值和大于第三端值的第四端值；在当前步进值大于或等于预设步进阈值的情况下，基于由第三端值和更新步进值确定的且小于第四端值的更新发送时延进行行列位置确定处理、读写校验处理、更新处理；直至更新步进值小于预设步进阈值确定存储芯片的时序参数的最小参考值。能提高测试存储芯片的时序参数的最小参考值的测试效率和准确度。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及芯片测试，尤其是一种存储芯片的时序参数确定方法及控制器、设备、介质。

技术介绍

1、ddr(double data rate，双倍数据速率)芯片，是一种同步动态随机存取存储器。ddr芯片中，通过行地址选通控制信号与列地址选通控制信号，在数据存储单元中确定存储位置。在寻址确定存储位置的过程中，通常是先发送行地址选通控制信号，经过一定的时间间隔，确保ddr芯片有足够的时间进行预充电、打开所需的行之后，且行地址选通控制信号稳定的情况下，再发送列地址选通控制信号，从而选定存储位置。这个时间间隔是ddr芯片的一个重要的时序参数，用于指示发送行地址选通控制信号与发送列地址选通控制信号之间的发送时延。如果这一时序参数配置过小，则列地址选通控制信号可能在行地址选通控制信号还未稳定之前就被发送，如此，ddr芯片将不能正确接收列地址选通控制信号，无法正确识别行和列的组合，导致无法将数据完全、正确地写入目标存储位置。此外，不同的ddr芯片的时序参数t不一样，在不同的平台上对于ddr芯片的时序参数也有不同的要求，一些平台与一些ddr芯片并不适配。因此，在ddr芯片出厂前本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储芯片的时序参数确定方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储芯片的时序参数确定方法，其特征在于，所述基于所述当前发送时延进行行列位置确定处理确定存储位置，包括：

3.根据权利要求1所述的存储芯片的时序参数确定方法，其特征在于，所述基于所述存储位置和测试码型，对待测的存储芯片进行读写校验处理得到校验结果，包括：

4.根据权利要求3所述的存储芯片的时序参数确定方法，其特征在于，所述当前延时测试范围包括第一端值和大于所述第一端值的第二端值；

5.根据权利要求3所述的存储芯片的时序参数确定方法，其特征在于，所述当前延时测试范...

【技术特征摘要】

1.一种存储芯片的时序参数确定方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储芯片的时序参数确定方法，其特征在于，所述基于所述当前发送时延进行行列位置确定处理确定存储位置，包括：

3.根据权利要求1所述的存储芯片的时序参数确定方法，其特征在于，所述基于所述存储位置和测试码型，对待测的存储芯片进行读写校验处理得到校验结果，包括：

4.根据权利要求3所述的存储芯片的时序参数确定方法，其特征在于，所述当前延时测试范围包括第一端值和大于所述第一端值的第二端值；

5.根据权利要求3所述的存储芯片的时序参数确定方法，其特征在于，所述当前延时测试范围包括第一端值和大于所述第一端值的第二端值；

6.根据权利要求1或3所述的存储芯片的时序参数确定...

【专利技术属性】
技术研发人员：王军，
申请(专利权)人：深圳市晶存科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：