接合体的制造方法技术

本申请涉及接合体的制造方法。根据实施方式，其特征在于，对于用于将陶瓷基板与金属板接合的钎料，在通过差示扫描量热计(DSC)来测定DSC曲线时，在升温工序的550℃～700℃的范围内具有吸热峰。此外，钎料优选含有Ag、Cu及Ti。此外，钎料优选在升温工序的550℃～650℃的范围内具有2个以上的吸热峰。

【技术实现步骤摘要】

后述的实施方式涉及钎料、接合体、陶瓷电路基板及接合体的制造方法。

技术介绍

1、陶瓷基板与铜板的接合体作为搭载半导体元件等的电路基板来使用。在国际公开第2018/021472号公报(专利文献1)中公开了将陶瓷基板与铜板接合而成的陶瓷铜电路基板。在专利文献1中，在接合层中使用了含有ag、cu、ti等的钎料。此外，通过控制接合层的纳米压痕硬度而提高了tct特性。在专利文献1中，通过使接合层中存在agti晶体或tic而控制了纳米压痕硬度。在专利文献1中，通过控制纳米压痕硬度而提高了接合强度和tct特性。

2、在专利文献1中，以接合温度780～850℃的高温进行了接合。若接合温度高，则接合设备的负担增加。此外，在高温的接合中，对陶瓷基板或铜板施加了热应力。热应力的负载会成为陶瓷铜电路基板的变形的原因。因此，要求更低的温度下的接合。

3、例如，在国际公开第2018/199060号公报(专利文献2)中，公开了以接合温度720～800℃接合而成的陶瓷铜电路基板。

4、现有技术文献

5、专利文献

<p>6、专利文献1：本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种接合体的制造方法，其使用钎料来将陶瓷基板与铜板进行加热接合，其中，

2.根据权利要求1所述的接合体的制造方法，其特征在于，所述钎料的Ag与Cu的质量比为1.3以下。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的接合体的制造方法，其特征在于，所述钎料的Sn与Ag的质量比或者In与Ag的质量比为0.25以上。

4.根据权利要求1或权利要求2所述的接合体的制造方法，其特征在于，所述钎料在通过差示扫描量热计(DSC)来测定DSC曲线时，在所述升温工序的140℃～300℃的范围内具有吸热峰或放热峰中的一者或两者。

5.根据权利要求3所述的接合体的制造...

【技术特征摘要】

1.一种接合体的制造方法，其使用钎料来将陶瓷基板与铜板进行加热接合，其中，

2.根据权利要求1所述的接合体的制造方法，其特征在于，所述钎料的ag与cu的质量比为1.3以下。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的接合体的制造方法，其特征在于，所述钎料的sn与ag的质量比或者in与ag的质量比为0.25以上。

4.根据权利要求1或权利要求2所述的接合体的制造方法，其特征在于，所述钎料在通过差示扫描量热计(dsc)来测定dsc曲线时，在所述升温工序的140℃～300℃的范围内具有吸热峰或放热峰中的一者或两者。

5.根据权利要求3所述的接合体的制造方法，其特征在于，所述钎料在通过差示扫描量热计(dsc)来测定dsc曲线时，在所述升温工序的140℃～300℃的范围内具有吸热峰或放热峰中的一者或两者。

6.根据权利要求1或权利要求2所述的接合体的制造方法，其特征在于，ag的平均粒径d50为3.0μm以下，cu的平均粒径d50为6.0μm以下，sn或in的平均粒径d50为6.0μm以下。

7.根据权利要求5所述的接合体的制造方法，其特征在于，ag的平均粒径d50为3.0μm以下，cu的平均粒径d50为6.0μm以下，sn或in的平均粒径d50为6.0μm以下。

8.根据权利要求1或权利要求2所述的接合体的制造方法，其特征在于，所述加热接合的接合温度为800℃以下。

9.根据权利要求7所述的接合体的制造方法，其特征在于，所述加热接合的接合温度为800℃以下。

10.根据权利要求1或权利要求2所述的接合体的...

【专利技术属性】
技术研发人员：米津麻纪，末永诚一，藤泽幸子，佐野孝，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：