【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造设备，更具体的说，涉及一种抽气环组件及半导体反应腔体。
技术介绍
1、薄膜沉积技术被广泛应用于制造微电子器件的薄膜，通过在基板衬底上形成沉积物。常见的薄膜沉积技术包括物理气相沉积、化学气相沉积(cvd)等技术。
2、在半导体工艺中，等离子体被引入反应腔室，在晶圆表面上进行反应沉积生成薄膜。反应完成后，惰性气体随即进入腔室进行吹扫，以清除多余的等离子体和反应生成的副产物。随后，抽气系统会将吹扫气体和其他气体排出。
3、在现有技术中，对于大多数半导体沉积设备，抽气系统采用腔体侧抽的结构设计。这种设计在大多数情况下都能有效地工作，但在某些不易清洁的位置或设计死区，吹扫气体的分布可能会出现问题。
4、在某些不易清洁的位置或设计死区会增加吹扫气体进行吹扫，通常这些吹扫气体从腔体底部和喷淋板侧面进入。然而，由于两种吹扫气体的引入，单站或多站腔体在沉积工艺时可能会出现抽气系统气流不同心的问题，导致吹扫流量均匀性难以控制。
5、图1揭示了现有技术中抽气环的工作原理示意图，如图1所示，抽...
【技术保护点】
1.一种抽气环组件，设置在半导体反应腔体内，其特征在于，至少包含一个抽气环与一个限制环：
2.根据权利要求1所述的抽气环组件，其特征在于，所述抽气环，在靠近腔室内一侧设置有一个台阶结构：
3.根据权利要求2所述的抽气环组件，其特征在于，所述限制环，底面与所述台阶结构的平台相连接接触，以获得支撑。
4.根据权利要求3所述的抽气环组件，其特征在于，所述限制环的上表面高于抽气孔的上表面。
5.根据权利要求1所述的抽气环组件，其特征在于，气流从喷淋板的死区位置流入，经过限制环阻挡后通过抽气孔的位置流出。
6.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种抽气环组件，设置在半导体反应腔体内，其特征在于，至少包含一个抽气环与一个限制环：
2.根据权利要求1所述的抽气环组件，其特征在于，所述抽气环，在靠近腔室内一侧设置有一个台阶结构：
3.根据权利要求2所述的抽气环组件，其特征在于，所述限制环，底面与所述台阶结构的平台相连接接触，以获得支撑。
4.根据权利要求3所述的抽气环组件，其特征在于，所述限制环的上表面高于抽气孔的上表面。
5.根据权利要求1所述的抽气环组件，其特征在于，气流从喷淋板的死区位置流入，经...
【专利技术属性】
技术研发人员：王政，关帅，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：
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