一种抗温漂高灵敏度微振动传感器及其测量电路制造技术

技术编号:44414695 阅读:18 留言:0更新日期:2025-02-25 10:30
本发明专利技术公开了一种抗温漂高灵敏度微振动传感器及其测量电路,包括振动传感模块和测量电路模块;振动传感模块输出的信号通过测量电路模块进行调理后进入数据采集装置中;通过对传感器采用两级压电双晶片设计,能够在具有相同中心质量的情况下通过串联两级压电双晶片以增加压电材料敏感面积进而提高传感器的测量灵敏度,解决了传感器高灵敏度与高频测量性能之间的矛盾;通过采用压电双晶片设计以及测量电路中对压电双晶片输出信号的精密差分放大设计,能够避免压电材料温度效应对传感器低频测量性能的影响,通过本发明专利技术提供的微振动传感器及与测量电路设计,最终实现对宽频带范围内微小振动的高精度测量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于传感器,具体涉及一种抗温漂高灵敏度微振动传感器及其测量电路


技术介绍

1、压电式振动传感器的原理是利用压电陶瓷或石英晶体的压电效应,将振动加速度转变成为电信号进行测量的,具有体积小、动态响应特性好、抗干扰能力强等特点,在振动测量和控制系统中得到了广泛应用。精密设备振动测量及控制要求的不断提高对传感器技术指标提出更高的需求,要求传感器具有更低的测量频段和更高的测量灵敏度。

2、压电式振动传感器的低频测量性能主要受到压电材料温度效应的影响,温度效应会诱发传感器测量信号的低频漂移,造成低频测量失真问题。目前常采用的方式是通过后续信号调理电路中的高通滤波模块对低频信号进行滤波处理,但这种方式会同时滤掉有用的低频振动信号,限制传感器的低频测量带宽。此外,通过在传感器中增加补偿单元进行主动补偿来消除温度漂移的影响也是一种可选择的方式,然而主动补偿控制的引入会大大增加传感器的成本和实现难度。此外,对于某一给定压电材料的压电式振动传感器,其灵敏度随着中心质量的增大而增大,而中心质量受到传感器尺寸和质量的限制,且中心质量的增加会降低传感器结构的固本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抗温漂高灵敏度微振动传感器及其测量电路,其特征在于,包括振动传感模块和测量电路模块;所述振动传感模块输出的信号通过测量电路模块进行调理后进入数据采集装置中;

2.根据权利要求1所述的一种抗温漂高灵敏度微振动传感器及其测量电路,其特征在于,所述差分放大器S1和差分放大器S2相同规格。

3.根据权利要求1所述的一种抗温漂高灵敏度微振动传感器及其测量电路,其特征在于,所述电阻R2、电阻R3和电阻R4相同规格。

4.根据权利要求1所述的一种抗温漂高灵敏度微振动传感器及其测量电路,其特征在于,所述外壳内壁上下位置分别设置有安装凸台,所述压电双晶片P1和压...

【技术特征摘要】

1.一种抗温漂高灵敏度微振动传感器及其测量电路,其特征在于,包括振动传感模块和测量电路模块;所述振动传感模块输出的信号通过测量电路模块进行调理后进入数据采集装置中;

2.根据权利要求1所述的一种抗温漂高灵敏度微振动传感器及其测量电路,其特征在于,所述差分放大器s1和差分放大器s2相同规格。

3.根据权利要求1所述的一种抗温漂高灵敏度微振动传感器及其测量电路,其特征在于,所述电阻r2、电阻r3和电阻r4相同规格。

4.根据权利要求1所述的一种抗温漂高灵敏度微振动传感器及其测量电路,其特征在于,所述外壳内壁上下位置分别设置有安装凸台,所述压电双晶片p1和压电双晶片p2分别放置在外壳内壁上下的安装凸台上。

5.根据权利要求1所述的一种抗温漂高灵敏度微振动传感器及其测量电路,其特征在于,所述压电双晶片p1和压电双晶片p2与中心质...

【专利技术属性】
技术研发人员:李青刘磊宁晨方
申请(专利权)人:西北工业大学
类型:发明
国别省市:

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