【技术实现步骤摘要】
本公开内容涉及用于通过将半导体管芯经由烧结层连接至衬底并且通过原子层沉积将保护层施加到该半导体管芯上以及该烧结层的部分上而制造半导体器件的方法，并且涉及一种半导体器件。
技术介绍
1、电子器件(例如，功率电子器件)可以包括附接至衬底的芯片焊盘的半导体管芯或半导体芯片，例如，所述衬底为dcb(直接铜键合)、amb(活性金属钎焊)或引线框架。用于将管芯附接至焊盘的接合技术的一个示例包括烧结，其中，在管芯与焊盘之间布置膏层并且施加压力和/或温度，从而由该膏层制造烧结金属层。
2、然而，关于此类烧结半导体管芯-衬底化合物的经验已经表明可能出现腐蚀问题。具体而言，如本行业众所周知的，当在升高的温度下暴露至湿气时，管芯背面金属化堆叠体中的以下两种类型的腐蚀将导致显著的技术问题。具体而言，已知两种类型的腐蚀，它们共同具有的情况是与芯片背面金属化堆叠体中的金属层/界面的劣化有关。第一种类型的腐蚀是背面金属化堆叠体中的各个层(例如，铝层)的卤化物诱发腐蚀。第二种类型的腐蚀是芯片背面金属化堆叠体的各个层之间的界面处(例如，niv/ag或ni/a...
【技术保护点】
1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，
4.根据权利要求3所述的方法，其中，
5.根据权利要求4所述的方法，其中，
6.根据权利要求3所述的方法，其中，
7.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，
8.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，
9.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，
10.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，
4.根据权利要求3所述的方法，其中，
5.根据权利要求4所述的方法，其中，
6.根据权利要求3所述的方法，其中，
7.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，
8.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，
9.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，
10.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，
11.根据权利要求1到9中的任何一项所述的方法，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：F·奥托，L·米库塔，H·萨克斯，M·魏因哈特，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：
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