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本公开内容涉及经由烧结层连接至衬底的半导体管芯上的保护ALD或PECVD层的施加。一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括：提供衬底；将烧结膏层施加至该衬底；将半导体管芯置于烧结膏层上或上方；执行烧结工艺，从而将烧结膏层转换成烧结层；以及通...
该专利属于英飞凌科技奥地利有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技奥地利有限公司授权不得商用。

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