【技术实现步骤摘要】
本技术涉及硅光子装置及其制造方法。
技术介绍
1、serdes装置中所涉及的高速度数据通信的发展进一步要求更短裸片到裸片互连路径，例如使用垂直集成技术来组装不同集成电路。举例来说，用于高速度数据通信的光学引擎可通过硅光子学技术来构建，所述硅光子学技术需要对电子集成电路(eic)与光子集成电路(pic)进行堆叠。硅光子学的3d堆叠提供包含经增强装置密度、经改进性能及更短互连长度的一系列优势，这可导致更低功率消耗及延迟。随着技术节点继续推进到7nm或更小，一些现有组装流程可能会经历各种技术挑战及限制。因此，用于将eic组装到pic的经改进方法是所期望的并且是本申请的主题。
技术实现思路
1、在一个方面中，本公开提供一种集成电路，其包括：第一衬底，其包括第一侧及第二侧；电路，其安置在所述第一侧上；第一介电层，其位于所述电路上，所述第一介电层包括第一表面；第二介电层，其位于所述第二侧上，所述第二介电层包括第二表面；第一金属层，其嵌入于所述第一介电层中，所述第一金属层耦合到所述电路；第二金属层，其位...
【技术保护点】
1.一种集成电路，其包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一触点包括金属凸块，所述金属凸块经配置以耦合到印刷电路板上的电触点。
3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一衬底包括具有10um到12um范围中的第一厚度的硅晶片。
4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第二衬底包括具有75um或更大的第二厚度的硅晶片。
5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第二触点包括金属垫。
6.根据权利要求5所述的集成电路，其包括由所述第二介电层与所述第三介电层之间的介电接合以及所述金属垫与所述通孔...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路，其包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一触点包括金属凸块，所述金属凸块经配置以耦合到印刷电路板上的电触点。
3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一衬底包括具有10um到12um范围中的第一厚度的硅晶片。
4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第二衬底包括具有75um或更大的第二厚度的硅晶片。
5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第二触点包括金属垫。
6.根据权利要求5所述的集成电路，其包括由所述第二介电层与所述第三介电层之间的介电接合以及所述金属垫与所述通孔的所述第二端之间的金属接合形成的双衬底堆叠。
7.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第三触点包括具有焊料帽的金属柱，所述金属柱经配置以耦合到第三衬底上的光子集成电路的电触点。
8.一种用于处理集成电路的方法，所述方法包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一触点包括金属凸块，所述方法进一步包括将所述金属凸块耦合到印刷电路板上的电触点，所述金属凸块包括铜、镍及/或银材料。
10.根据权利要求8所述的方法，其中处理所述第二侧包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括通过干式抛光将所述第二衬底从所述第四侧减薄。
13.根据权利要求8所述的方法，其中所述将所述第三表面耦合到所述第二表面包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：S·卡纳安，N·马尔加利特，V·拉古拉曼，V·拉古纳塔恩，
申请(专利权)人：安华高科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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