【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的实施例总体上涉及发光二极管(led)器件阵列及其制造方法。更特别地，实施例针对单片集成的红、绿、蓝(rgb)发射器阵列，其具有减少数量的台面蚀刻步骤和接触端子。
技术介绍
1、诸如虚拟现实系统和增强现实系统的可视化系统在诸如娱乐、教育、医学和商业之类的领域中正变得越来越普遍。存在持续的努力来改进可视化系统(诸如虚拟现实系统和增强现实系统)。
2、微led(μled)可以是小尺寸的led(通常直径为～50μm或更小)，当红色、绿色和蓝色波长的μled可以紧密排列时，它们可以用于产生非常高分辨率的彩色显示器。μled显示器的制造通常涉及从单独的蓝色、绿色和红色wl晶片中挑选出已切单的μled，并将它们在显示器上交替紧密排列。
3、对要求微观像素间距的高分辨率彩色led显示器存在兴趣。当led的尺寸在几十微米或更小的范围内时，组装生长在单独晶片上的红色、绿色和蓝色led变得困难。单片rgb集成是一种方法，它避免了将微观led操纵到显示器上正确位置中的问题，但也带来了其自己的一系列挑战。当前的单片rgb阵列需要至...
【技术保护点】
1.一种发光二极管(LED)阵列，包括：
2.根据权利要求1所述的LED阵列，进一步包括围绕所述第一发光堆叠、所述第二发光堆叠和所述第三发光堆叠的电介质层。
3.根据权利要求2所述的LED阵列，进一步包括在所述电介质层上的反射金属层。
4.根据权利要求1所述的LED阵列，其中所述第一发光堆叠和所述第二发光堆叠共享连接到第二电接触的第二n型层。
5.根据权利要求4所述的LED阵列，其中当所述第一发光堆叠和所述第二发光堆叠被并联驱动时，发射的聚合颜色由电压控制。
6.根据权利要求1所述的LED阵列，进一步包括电极
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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种发光二极管(led)阵列，包括：
2.根据权利要求1所述的led阵列，进一步包括围绕所述第一发光堆叠、所述第二发光堆叠和所述第三发光堆叠的电介质层。
3.根据权利要求2所述的led阵列，进一步包括在所述电介质层上的反射金属层。
4.根据权利要求1所述的led阵列，其中所述第一发光堆叠和所述第二发光堆叠共享连接到第二电接触的第二n型层。
5.根据权利要求4所述的led阵列，其中当所述第一发光堆叠和所述第二发光堆叠被并联驱动时，发射的聚合颜色由电压控制。
6.根据权利要求1所述的led阵列，进一步包括电极网格。
7.根据权利要求1所述的led阵列，其中所述第一n型层、所述第二n型层和所述第三n型层独立地包括氮化镓(gan)、氮化铝(aln)、氮化铟(inn)、氮化镓铝(gaaln)、氮化镓铟(gainn)、氮化铝镓(algan)、氮化铝铟(alinn)、氮化铟镓(ingan)、氮化铟铝(inaln)等中的一种或多种。
8.根据权利要求7所述的led阵列，其中所述第一n型层、所述第二n型层和所述第三n型层包括氮化镓(gan)。
9.根据权利要求1所述的led阵列，其中所述第一电接触、所述第二电接触和所述第三电接触独立地包括铝。
10.根据权利要求1所述的led阵列，其中所述反射p接触电极包括铝(al)、铂(pt)、银(ag)中的一种或多种。
11.根据权利要...
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