一种谐振器调频层的低损伤刻蚀方法技术

本发明专利技术公开了一种谐振器调频层的低损伤刻蚀方法，首先在谐振器基底上制备谐振器的底电极和压电层结构，并基于此连续溅射谐振器的顶电极和调频层薄膜，对谐振器的调频层薄膜进行光刻处理，最后对光刻处理后的调频层薄膜进行离子束刻蚀，刻蚀至目标厚度，获得所需的调频层图形。本发明专利技术的方案基于离子束刻蚀技术对谐振器调频层进行刻蚀，对刻蚀材料没有限制，同时对离子束刻蚀过程中的参数进行了优化，以实现低速、低功率刻蚀，在刻蚀效果提升的同时提高了圆片良率，提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体工艺领域，具体涉及一种谐振器调频层的低损伤刻蚀方法。

技术介绍

1、薄膜体声波谐振器(film bulk acoustic resonator,fbar)具有小型化、高工作频率、高功率容量和高集成度等特点，符合5g通信系统对射频谐振器的要求，具有广阔的应用前景和发展空间。在其制备技术中，器件频率的准确性和频率分布的均一性取决于压电薄膜及金属电极薄膜的厚度和均匀性，同时功能层薄膜的质量和形貌直接影响了器件的品质因数、插入损耗和带宽等性能参数。

2、薄膜体声波谐振器主要结构为底电极-压电层-顶电极组成的“三明治”结构，通过在两电极间输入正弦信号，谐振器利用逆压电效应将输入电信号转换为机械谐振，并且再利用压电效应将机械谐振转换为电信号输出。目前，已有技术提出在谐振器中使用质量负载层来调整谐振器的谐振频率，在实际生产过程中，当采用反应离子束刻蚀技术刻蚀调频层时，不仅会对压电层造成过刻，影响芯片频率的准确性，还会对调频层和压电层边缘处造成损伤，后续生长顶电极和钝化层时，由于损伤的存在，表观上会形成黑色线条。对于此情况，我们采用连续溅射本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种谐振器调频层的低损伤刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的谐振器调频层的低损伤刻蚀方法，其特征在于，所述步骤3中的调频层薄膜在刻蚀过程中采用的惰性气体包括氦气、氖气、氩气、氪气、氙气、氡气中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的谐振器调频层的低损伤刻蚀方法，其特征在于，所述步骤3中的调频层薄膜在离子束刻蚀过程中使用的惰性气体流量范围为10-30sccm。

4.根据权利要求1所述的谐振器调频层的低损伤刻蚀方法，其特征在于，所述步骤3中的调频层薄膜在离子束刻蚀过程中使用的离子束电压在200V至500V之间。

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【技术特征摘要】

1.一种谐振器调频层的低损伤刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的谐振器调频层的低损伤刻蚀方法，其特征在于，所述步骤3中的调频层薄膜在刻蚀过程中采用的惰性气体包括氦气、氖气、氩气、氪气、氙气、氡气中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的谐振器调频层的低损伤刻蚀方法，其特征在于，所述步骤3中的调频层薄膜在离子束刻蚀过程中使用的惰性气体流量范围为10-30sccm。

4.根据权利要求1所述的谐振器调频层的低损伤刻蚀方法，其特征在于，所述步骤3中的调频层薄膜在离子束刻蚀过程中使用的离子束电压在200v至500v之间。

5.根据权利要求1所述的谐振器调频层的低损伤刻蚀方法，其特征在于，所述步骤3中的调频层薄膜在离子束刻蚀过程中使用的离子束电流在400ma至500ma之间。

6.根据权利要求1所述的谐振器调频层的低损伤刻蚀方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐涛，李昊，王雷，李小龙，王政焱，于博，姜理利，郁元卫，黄旼，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：