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集总式同相功率合成电路及功率放大器制造技术

技术编号:44409277 阅读:20 留言:0更新日期:2025-02-25 10:22
本发明专利技术涉及无线通讯技术领域,提供了一种集总式同相功率合成电路及功率放大器,包括第一信号输入端、第二信号输入端、输入阻抗匹配电路、第一谐波抑制电路、第二谐波抑制电路、第一低通滤波电路、第二低通滤波电路、高通滤波电路以及信号合成输出端;输入阻抗匹配电路用于提供电源和阻抗匹配;第一谐波抑制电路用于对输入阻抗匹配电路的第一端输出的信号实现二次谐波滤除;第二谐波抑制电路用于对输入阻抗匹配电路的第二端输出的信号实现二次谐波滤除;第一低通滤波电路用于对输入阻抗匹配电路的第一端输出的信号进行滤波处理。本发明专利技术的集总式同相功率合成电路具备阻抗变换特性,同时具备低成本,高隔离和高集成度等优势。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及无线通讯,尤其涉及一种集总式同相功率合成电路及功率放大器


技术介绍

1、在无线通信系统中,随着5g网路和物联网(iot)技术的快速发展,对射频前端模组的线性功率提出了更高要求。然而,单端功率放大器很难输出更高功率,所以需要采用功率合成技术。现有蜂窝通信中的射频前端模组通常采用差分相位合成和90°平衡相位合成。

2、目前,差分结构通常在功率放大器的输入和输出端都会加入体积庞大的巴伦,提高了芯片与模组成本。且应用于5g通信中的差分巴伦平衡性一般较差,表现为功率放大器的稳定性较差,隔离度较差。而应用于5g通信射频前端中的90°平衡相位合成,常采用基于变压器的90°合成方案。与前述差分合成类似,其在功率放大器的输入和输出均会加入体积较大的基于变压器架构的90°耦合器。同时该90°耦合器不具备阻抗变换特性,需要另外加入阻抗变化电路,所以占用芯片与模组面积极大;同时导致成本较高。


技术实现思路

1、针对以上现有技术的不足,本专利技术提出一种集总式同相功率合成电路,以解决现有集总式同相功率合成电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集总式同相功率合成电路,其特征在于,包括输入阻抗匹配电路、第一谐波抑制电路、第二谐波抑制电路、第一低通滤波电路、第二低通滤波电路以及高通滤波电路;

2.根据权利要求1所述的集总式同相功率合成电路,其特征在于,所述输入阻抗匹配电路包括电压源、第一电感和第二电感;所述电压源的负极接地,所述电压源的正极分别连接所述第一电感的第一端和所述第二电感的第一端,所述第一电感的第二端作为所述输入阻抗匹配电路的第一端;所述第二电感的第二端作为所述输入阻抗匹配电路的第二端。

3.根据权利要求2所述的集总式同相功率合成电路,其特征在于,所述第一谐波抑制电路包括第一电容和第三电感...

【技术特征摘要】

1.一种集总式同相功率合成电路,其特征在于,包括输入阻抗匹配电路、第一谐波抑制电路、第二谐波抑制电路、第一低通滤波电路、第二低通滤波电路以及高通滤波电路;

2.根据权利要求1所述的集总式同相功率合成电路,其特征在于,所述输入阻抗匹配电路包括电压源、第一电感和第二电感;所述电压源的负极接地,所述电压源的正极分别连接所述第一电感的第一端和所述第二电感的第一端,所述第一电感的第二端作为所述输入阻抗匹配电路的第一端;所述第二电感的第二端作为所述输入阻抗匹配电路的第二端。

3.根据权利要求2所述的集总式同相功率合成电路,其特征在于,所述第一谐波抑制电路包括第一电容和第三电感;所述第一电容的第一端作为所述第一谐波抑制电路的第二端,所述第一电容的第二端连接所述第三电感的第一端,所述第三电感的第二端作为所述第一谐波抑制电路的第一端;

4.根据权利要求3所述的集总式同相功率合成电路,其特征在于,所述第一低通滤波电路包括第五电感和第三电容;所述第五电感的第一端作为所述第一低通滤波电路的输入端,所述第五电感的第二端与所述第三电容的第一端连接并作为所述第一低通滤波电路的输出端,所述第三电容的第二端接地;

5.根据权利要求4所述的集总式同相功率合成电路,其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭嘉帅张卫
申请(专利权)人:复旦大学
类型:发明
国别省市:

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