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本发明公开了一种谐振器调频层的低损伤刻蚀方法，首先在谐振器基底上制备谐振器的底电极和压电层结构，并基于此连续溅射谐振器的顶电极和调频层薄膜，对谐振器的调频层薄膜进行光刻处理，最后对光刻处理后的调频层薄膜进行离子束刻蚀，刻蚀至目标厚度，获得所...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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