静电吸盘制造技术

本发明专利技术提供一种静电吸盘，其能够抑制接合层发生剥离。静电吸盘(10)具备：电介体基板(100)；基座板(200)；及接合层(300)，对电介体基板(100)与基座板(200)之间进行接合。接合层(300)是在树脂310的内部含有多个颗粒状的填充材(320)的层。接合层(300)中，填充材(320)的含量为70重量％以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种静电吸盘。

技术介绍

1、例如在蚀刻装置等半导体制造装置中，作为用于吸附并保持成为处理的对象的硅片等基板的装置而设置静电吸盘。静电吸盘具备：设置有吸附电极的电介体基板；及支撑电介体基板的基座板，具有这些相互被接合的结构。通常吸附电极被内置于电介体基板，但是作为金属的基座板有时还作为吸附电极而被使用。如果对吸附电极外加电压，则产生静电力，吸附并保持放置在电介体基板上的基板。

2、处理中，由于被暴露于等离子体，因此基板的温度上升，电介体基板的温度也上升。在近年来的半导体制造装置中，处理中射入基板及电介体基板的能量有增大的倾向。因此，对基座板要求与以往相比更高的冷却性能。另外，对接合电介体基板与基座板之间的接合层，要求与以往相比更高的传热性能。

3、作为用于提高接合层的传热性能(具体而言是热导率)的方法，例如下述的专利文献1所记载，通常在接合层的内部含有称为“填料”的颗粒状的填充材。例如，当接合层为发生固化的硅酮粘接剂时，作为填充材而使用热导率高于其周围硅酮的氧化铝等的颗粒。

4、专利文献

5、专本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种静电吸盘，其特征为，

2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，所述树脂为硅酮。

3.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，所述填充材作为主成分而含有氧化铝。

4.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，所述接合层的厚度为0.3mm以下。

5.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，至少一部分的所述填充材的形状为球形。

【技术特征摘要】

1.一种静电吸盘，其特征为，

2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，所述树脂为硅酮。

3.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，所述填充材作为主成分而含有氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：池口雅文，小林幸太，籾山大，
申请(专利权)人：TOTO株式会社，
类型：发明
国别省市：