【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及陶瓷领域，特别是一种碳化硅陶瓷表面沉积超高纯碳化硅膜的方法。
技术介绍
1、晶舟是半导体制程工艺不可或缺的一环，主要是作为载具装置参与晶圆的运输和加工。由于晶圆加工对其精度和洁净度要求极高，因此要求晶舟表面需要光滑，有着较高的化学稳定性，且没有会与晶圆发生反应的杂质金属离子，即高纯度，而能够完全满足晶舟所需各方面性能的碳化硅陶瓷晶舟逐渐成为了这一领域的发展重点。目前常规的碳化硅陶瓷材料，由于纯度满足不了晶舟的应用标准，在实际应用中需要在碳化硅陶瓷质晶舟表面沉积一层致密的高纯度碳化硅陶瓷膜。因此，目前晶舟制造领域亟需一种在碳化硅陶瓷表面制备出纯度高、性能稳定的高致密碳化硅陶瓷膜的方法。
2、碳化硅陶瓷作为一种工业上常用的特种陶瓷材料，具有高强度、高硬度、耐高温耐磨损、抗热震等优良特性，而高纯的碳化硅薄膜在保留了其高力学性能基础上，还继承了碳化硅材料的高化学稳定性，适用于晶舟这种需要在极端化学、物理条件下工作的装置。目前超高纯碳化硅陶瓷涂层的制备通常使用化学气相沉积、磁控溅射或原子层沉积等方法。其中化学气相沉积因其...
【技术保护点】
1.碳化硅陶瓷表面沉积超高纯碳化硅膜的方法，其特征在于包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的碳化硅陶瓷表面沉积超高纯碳化硅膜的方法，其特征在于：所述碳化硅陶瓷衬底为单面抛光的高纯碳化硅陶瓷，纯度＞99.9％。
3.根据权利要求1或2所述的碳化硅陶瓷表面沉积超高纯碳化硅膜的方法，其特征在于所述步骤2)中：
4.根据权利要求1～3任一所述的碳化硅陶瓷表面沉积超高纯碳化硅膜的方法，其特征在于所述步骤3)的衬底清洗为：
5.根据权利要求4所述的碳化硅陶瓷表面沉积超高纯碳化硅膜的方法，其特征在于：所述步骤3)中负偏压的电压为-8
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【技术特征摘要】
1.碳化硅陶瓷表面沉积超高纯碳化硅膜的方法，其特征在于包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的碳化硅陶瓷表面沉积超高纯碳化硅膜的方法，其特征在于：所述碳化硅陶瓷衬底为单面抛光的高纯碳化硅陶瓷，纯度＞99.9％。
3.根据权利要求1或2所述的碳化硅陶瓷表面沉积超高纯碳化硅膜的方法，其特征在于所述步骤2)中：
4.根据权利要求1～3任一所述的碳化硅陶瓷表面沉积超高纯碳化硅膜的方法，其特征在于所述步骤3)的衬底清洗为：
5.根据权利要求4所述的碳化硅陶瓷表面...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙伟，李丽霞，陈家淦，
申请(专利权)人：无锡海古德新技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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