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本发明涉及陶瓷领域，特别是一种碳化硅陶瓷表面沉积超高纯碳化硅膜的方法，包括以下步骤：将单面抛光的碳化硅陶瓷衬底进行清洗，而后干燥，得预处理后衬底；将高纯SiC靶材安装在位于真空仓内的磁控溅射靶上，将预处理后衬底按照抛光面向上的设置方式置于位...
该专利属于无锡海古德新技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡海古德新技术有限公司授权不得商用。

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