在制造接触片、尤其是用于电解装置（膜电解槽）的接触片的方法中，本发明专利技术的目的是提供一种方案，该方案能够产生既便宜而且非常有效的方法，该方法能以高的电效率制造这样的接触片。通过实施辊压接合方法将铜片连接到钛片实现了这种目的。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及制造接触片的方法，尤其是制造电解装置(膜电,)用接触 片的方法。
技术介绍
例如本申请人的文件冊98/15675A1中描述了这样的电解槽。特别需M 触片用以拟目邻电解装置之间建立电接触。有多种方法可用于制itil样的接触 片并将它们连接到电餘隋壁。本申请人的文件WO 01/85388A1 ^y苗述了这样的接触片的制造。在该'|"姊在将板片连接到不同材料的物体的情形中，:已知的操:是使用爆炸* (explos ion-bonding )方法。所述方法是通迚#、燃爆炸物以高速将材料齡到 M材料，从而在两种材料之间获得##式金^4^%然而，这种方法相对复 杂且昂贵。
技术实现思路
本专利技术的目的是提^""种便宜而且非常有效的方法，该方法能够以高的电 效率制itil样的接触片。通过如下实现了本专利技术的目的实^Ji述类型的方法，从而使用杏m^^ 方法，片连接到钛片。意夕卜发现，通i!t^专利技术4錄的方法4f"H^的钛片连接到另一'J的铜片是容易#1^亍的，因此由辊子在金属的接触表面Ji^口的高压力破坏减去RH封可氧化 层并提高了导电性。在所附权利要求中描述了本专利技术的实施方案，其中可实现的益处是m M方法的第一步骤中的冷成型率为60 -80%。本专利技术方法的另一个实施方案^t:在teM方法中^^l^:理的钛片与清'組的铜片结合，尤其是清'組的SeCu片。典型的半成p。c^片，如Messrs. Kr叩p制造的"TIKRUTAN "适合于该目的。以下ii^r式实施另一个实施方案，在^ti片和/或铜片illA^II^:前在4^ 面J^t它们进行刷制(brush )。本专利技术的加强型实施方案规定在to操作的 纵向_^*片进行刷制。当^f亍膨齡方法时，本专利技术im^:在xy咖^lJi每200咖狄的 辊压压力为780 t。ii^现铜片可以充当4^钬之间的中间层，因jtb^4&本专利技术可以形成三金 属片，即通过所述的M^方法将缘片连接到铜片，该方法也允i午同时M 所t种片。附图说明下面描iL^专利技术的其它方面、特4i^优点，并JLit过下面列出的附图进4亍 图解说明图1和2示出才娥本专利技术制造的接触片的简^4l面视图。 M实施方式在图1中，接触片1由钛片2和铜片3《誠，铜片3通过杏m^^方法连 接到钛片2。为了形成两个接触连接部(web) 3a和3b，可以通过例:HM^o工除去尤 其是铜片的中心部分，这样得到纵向沟槽4。图2显示，可以提供以铜片3作为钛片2和镍片5之间的中间层的接触片 la,镍片是被另外连接到该结构。^il种情况下，^C供纵向中心沟槽4a。下面对典型的接触片制iti^行更详细的描述材料TIKRUTAN RT 12钛片，尺寸200 x 3. 5mm，清洗，铜片SeCu,尺寸 200 x 2. 88mm，以40 %的成型率进行预辊压。在机器进料侧所得板厚度为 6.38mm;在i^f'j机器之前，在賴在操怍的纵向Ji^Hi^铜材料的接合面进行 刷制。机器#1^:运行逸复3m/min，辊压压力约780 t。得到2. 05咖的^i齢的^t结构，冷成型率ii5'J约68%。肯t^一个道次中精轧1. 60mm的预计双金属强度。齢切割成7. Omm宽并且弯度测试没有导致复^^属结构的^^M片的^f可分层。扭曲测试(1: 8x的扭曲率往复进行(to and fro )， 一个方向上的扭曲率是 2: 8x)没有引起^f可明显的组件分层。权利要求1.制造膜电解装置用接触片的方法，包括通过辊压接合将铜片连接到钛片。2. 才娥权矛澳求1的方法，其中在所述m接合方法的第一步中，实施60 -80%的冷成型率。3. 才娥权利要求1或2的方法，其中所述钬片;I^M:理的钛片，所述铜片 是清組的铜片。4. 才財居前i^又利要求任一项所述的方法，其中在所述,^^^之前，侦所 述钬片和/或所述铜片在4^面上经受刷制。5. 才^居权利要求4的方法，其中在辐压操怍的纵向上实施所述刷制。6. 才財居前i^又利要求4—项所述的方法，其中通过在xy咖^Ui每200mm ￡^ 口 780 t的乾^压力^ii行所述fe^M。7. 才娥前i^又利要求^"-项所述的方法，其中^片朱m^^到作为中间 层的所ii铜片。全文摘要在制造接触片、尤其是用于电解装置(膜电解槽)的接触片的方法中，本专利技术的目的是提供一种方案，该方案能够产生既便宜而且非常有效的方法，该方法能以高的电效率制造这样的接触片。通过实施辊压接合方法将铜片连接到钛片实现了这种目的。文档编号B23K20/04GK101589177SQ200880001362 公开日2009年11月25日 申请日期2008年1月30日 优先权日2007年2月1日专利技术者H·西布姆, H-J·昆兹, K-H·杜勒, P·沃尔特林, S·科勒 申请人:乌德诺拉股份公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
制造膜电解装置用接触片的方法，包括：通过辊压接合将铜片连接到钛片。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：S科勒，HJ昆兹，KH杜勒，P沃尔特林，H西布姆，
申请(专利权)人：乌德诺拉股份公司，
类型：发明
国别省市：IT[意大利]
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