System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 发光二极管的峰值波长调整方法、装置、设备及介质制造方法及图纸_技高网

发光二极管的峰值波长调整方法、装置、设备及介质制造方法及图纸

技术编号:44331325 阅读:12 留言:0更新日期:2025-02-18 20:39
本申请公开了一种发光二极管的峰值波长调整方法、装置、设备及介质,涉及半导体电路控制技术领域,包括:监测发光二极管在工作状态下的光谱,并基于光谱确定发光二极管的实际峰值波长;获取发光二极管在工作状态下的目标峰值波长,并将实际峰值波长和目标峰值波长进行比对;在检测到实际峰值波长较目标峰值波长发生波长漂移的情况下,根据目标峰值波长对各子发光二极管的输入功率进行调整,以将实际峰值波长调整至目标峰值波长。本申请通过在由多个子LED组合成的LED的峰值波长出现波长漂移时,对各子LED的输入功率进行调整,在不同输入功率下保持LED光源峰值波长相对稳定,提升了光谱组合的精确度和LED发光系统的整体性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体电路控制,尤其涉及一种发光二极管的峰值波长调整方法、装置、电子设备及存储介质。


技术介绍

1、在实施多种led(light emitting diode,发光二极管)进行光谱组合的工作时,理想状况是各led在不同输入功率下进行组合后,所得光谱的峰值波长是相对稳定的,但由于led本身的半导体特性和热特性,在使用不同功率驱动该led时,该led的峰值波长会随着温度变化发生漂移现象,有时这种漂移现象的偏移程度较大,这导致在精准确定光谱强度等方面存在稳定性问题。尽管通过精细的半导体工艺可以减轻这种波长偏移的影响,但这种改进半导体生产工艺的方法,往往伴随着较高的成本和操作上的复杂性。

2、因此,如何便捷地保持led光源的峰值波长相对稳定,是目前亟需解决的一个问题。


技术实现思路

1、本申请的主要目的在于提供一种发光二极管的峰值波长调整方法、装置、电子设备及存储介质,旨在解决如何便捷地保持led光源的峰值波长相对稳定的技术问题。

2、为实现上述目的,本申请提出一种发光二极管的峰值波长调整方法,所述发光二极管的峰值波长调整方法应用于峰值波长调整系统,其中,峰值波长调整系统包括由多个子发光二极管组成的发光二极管,所述发光二极管的峰值波长调整方法包括:

3、监测发光二极管在工作状态下的光谱,并基于所述光谱确定所述发光二极管的实际峰值波长,其中,所述光谱由各子发光二极管混光产生;

4、获取所述发光二极管在工作状态下的目标峰值波长,并将所述实际峰值波长和所述目标峰值波长进行比对;

5、在检测到所述实际峰值波长较所述目标峰值波长发生波长漂移的情况下,根据所述目标峰值波长对各子发光二极管的输入功率进行调整,以将所述实际峰值波长调整至所述目标峰值波长。

6、在一实施例中,所述根据所述目标峰值波长对各子发光二极管的输入功率进行调整的步骤包括:

7、获取所述发光二极管的当前输入功率,并根据所述当前输入功率和所述目标峰值波长查询预设关系表格,得到所述预设关系表格中在所述当前输入功率下各子发光二极管的参考输入功率;

8、将所述各子发光二极管的输入功率调整至所述参考输入功率。

9、在一实施例中,所述根据所述当前输入功率和所述目标峰值波长查询预设关系表格,得到所述预设关系表格中在所述当前输入功率下各子发光二极管的参考输入功率的步骤包括:

10、根据所述当前输入功率和所述目标峰值波长,确定所述预设关系表格中对应的记录峰值波长;

11、将所述预设关系表格中与所述记录峰值波长关联的各子发光二极管的记录输入功率,作为各所述参考输入功率。

12、在一实施例中,所述峰值波长调整系统还包括混光部件,所述各子发光二极管通过所述混光部件混光产生所述发光二极管的光谱,其中,所述混光部件中至少包括多层均光散射板,所述将所述各子发光二极管的输入功率调整至所述参考输入功率的步骤之后还包括:

13、对输入功率调整后的各子发光二极管进行发射角度调整;

14、通过所述多层均光散射板对发射角度调整后的各子发光二极管所产生的发射光进行混光,得到所述发光二极管在工作状态下的新光谱。

15、在一实施例中,所述发光二极管的峰值波长调整方法还包括:

16、对于任意一个子发光二极管,在不同测试输入功率作用下监测所述子发光二极管的测试峰值波长;

17、对各测试输入功率和所述各测试输入功率下所述子发光二极管的测试峰值波长进行记载,得到各记录输入功率下的各记录峰值波长,并基于所述各记录输入功率下的各记录峰值波长,构建所述子发光二极管的预设关系子表格;

18、在遍历各子发光二极管后,基于各预设关系子表格组合得到所述预设关系表格。

19、在一实施例中,所述将所述实际峰值波长和所述目标峰值波长进行比对的步骤之后还包括:

20、确定所述实际峰值波长和所述目标峰值波长之间的偏差量;

21、若所述偏差量小于或等于预设量,则返回所述监测发光二极管在工作状态下的光谱的步骤;

22、若所述偏差量大于预设量,则判定所述实际峰值波长较所述目标峰值波长发生波长漂移。

23、在一实施例中,所述峰值波长调整系统所配置的各子发光二极管,在相同输入功率下所对应峰值波长之间的差值小于预设光谱半高宽值。

24、此外,为实现上述目的,本申请还提出一种发光二极管的峰值波长调整装置,所述发光二极管的峰值波长调整装置应用于峰值波长调整系统,其中,峰值波长调整系统包括由多个子发光二极管组成的发光二极管,所述发光二极管的峰值波长调整装置包括:

25、监测模块,用于监测发光二极管在工作状态下的光谱,并基于所述光谱确定所述发光二极管的实际峰值波长,其中,所述光谱由各子发光二极管混光产生;

26、比对模块,用于获取所述发光二极管在工作状态下的目标峰值波长,并将所述实际峰值波长和所述目标峰值波长进行比对;

27、调整模块,用于在检测到所述实际峰值波长较所述目标峰值波长发生波长漂移的情况下,根据所述目标峰值波长对各子发光二极管的输入功率进行调整,以将所述实际峰值波长调整至所述目标峰值波长。

28、此外,为实现上述目的,本申请还提出一种电子设备,所述设备包括:存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序,所述计算机程序配置为实现如上文所述的发光二极管的峰值波长调整方法的步骤。

29、此外,为实现上述目的,本申请还提出一种存储介质,所述存储介质为计算机可读存储介质,所述存储介质上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如上文所述的发光二极管的峰值波长调整方法的步骤。

30、此外,为实现上述目的,本申请还提供一种计算机程序产品,所述计算机程序产品包括计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如上文所述的发光二极管的峰值波长调整方法的步骤。

31、本申请提出的一个或多个技术方案,至少具有以下技术效果:

32、本申请首先监测发光二极管在工作状态下的光谱,并基于所述光谱确定所述发光二极管的实际峰值波长,以通过实时监测和精确测量led在当前工作状态下的发光特性即光谱,从而确保能够准确获取led的实际峰值波长,为后续的峰值波长调整提供了可靠的数据基础;获取所述发光二极管在工作状态下的目标峰值波长,并将所述实际峰值波长和所述目标峰值波长进行比对,以通过比较实际峰值波长与目标峰值波长,可以及时发现波长漂移现象的产生,从而为调整led的输入功率提供依据,以确保光谱的稳定性和准确性;在检测到所述实际峰值波长较所述目标峰值波长发生波长漂移的情况下,根据所述目标峰值波长对各子发光二极管的输入功率进行调整,以将所述实际峰值波长调整至所述目标峰值波长,通过动态调整各子led输入功率,实现了对led峰值波长的精确控制,不仅减少了波长漂移对光谱稳定性的影响,而且提本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管的峰值波长调整方法,其特征在于,应用于峰值波长调整系统,其中,峰值波长调整系统包括由多个子发光二极管组成的发光二极管,所述发光二极管的峰值波长调整方法包括:

2.如权利要求1所述的发光二极管的峰值波长调整方法,其特征在于,所述根据所述目标峰值波长对各子发光二极管的输入功率进行调整的步骤包括:

3.如权利要求2所述的发光二极管的峰值波长调整方法,其特征在于,所述根据所述当前输入功率和所述目标峰值波长查询预设关系表格,得到所述预设关系表格中在所述当前输入功率下各子发光二极管的参考输入功率的步骤包括:

4.如权利要求2所述的发光二极管的峰值波长调整方法,其特征在于,所述峰值波长调整系统还包括混光部件,所述各子发光二极管通过所述混光部件混光产生所述发光二极管的光谱,其中,所述混光部件中至少包括多层均光散射板,所述将所述各子发光二极管的输入功率调整至所述参考输入功率的步骤之后还包括:

5.如权利要求2所述的发光二极管的峰值波长调整方法,其特征在于,所述发光二极管的峰值波长调整方法还包括:

6.如权利要求1所述的发光二极管的峰值波长调整方法,其特征在于,所述将所述实际峰值波长和所述目标峰值波长进行比对的步骤之后还包括:

7.如权利要求1所述的发光二极管的峰值波长调整方法,其特征在于,所述峰值波长调整系统所配置的各子发光二极管,在相同输入功率下所对应峰值波长之间的差值小于预设光谱半高宽值。

8.一种发光二极管的峰值波长调整装置,其特征在于,应用于峰值波长调整系统,其中,峰值波长调整系统包括由多个子发光二极管组成的发光二极管,所述发光二极管的峰值波长调整装置包括:

9.一种电子设备,其特征在于,所述设备包括:存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序,所述计算机程序配置为实现如权利要求1至7中任一项所述的发光二极管的峰值波长调整方法的步骤。

10.一种存储介质,其特征在于,所述存储介质为计算机可读存储介质,所述存储介质上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7中任一项所述的发光二极管的峰值波长调整方法的步骤。

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【技术特征摘要】

1.一种发光二极管的峰值波长调整方法,其特征在于,应用于峰值波长调整系统,其中,峰值波长调整系统包括由多个子发光二极管组成的发光二极管,所述发光二极管的峰值波长调整方法包括:

2.如权利要求1所述的发光二极管的峰值波长调整方法,其特征在于,所述根据所述目标峰值波长对各子发光二极管的输入功率进行调整的步骤包括:

3.如权利要求2所述的发光二极管的峰值波长调整方法,其特征在于,所述根据所述当前输入功率和所述目标峰值波长查询预设关系表格,得到所述预设关系表格中在所述当前输入功率下各子发光二极管的参考输入功率的步骤包括:

4.如权利要求2所述的发光二极管的峰值波长调整方法,其特征在于,所述峰值波长调整系统还包括混光部件,所述各子发光二极管通过所述混光部件混光产生所述发光二极管的光谱,其中,所述混光部件中至少包括多层均光散射板,所述将所述各子发光二极管的输入功率调整至所述参考输入功率的步骤之后还包括:

5.如权利要求2所述的发光二极管的峰值波长调整方法,其特征在于,所述发光二极管的峰值波长调整方法还...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐英莹王鹏飞李博文马秋辰胡玉荣侯添皓
申请(专利权)人:中国计量科学研究院
类型:发明
国别省市:

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