一种加强环、半导体封装结构及其形成方法技术

本申请提供一种加强环、半导体封装结构及其形成方法，所述半导体封装结构包括：基板，所述基板包括用于封装芯片的芯片区域；加强环，位于所述芯片区域周围的基板上包围所述芯片区域；芯片，封装于所述芯片区域的基板上。本申请提供一种加强环、半导体封装结构及其形成方法，利用加强环降低基板的翘曲度，从而保护芯片受到基板翘曲产生的应力，可以在芯片封装过程中避免芯片中的低介电常数材料破裂，提高芯片器件的性能和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其涉及一种加强环、半导体封装结构及其形成方法。

技术介绍

1、半导体封装工艺中包括将切割好的芯片封装于基板上的步骤。然而在倒装芯片封装工艺(flip chip attach,fca)中，在将芯片封装到基板上时需要经过回流焊工艺。在回流焊时，由于基板受热膨胀会发生翘曲，翘曲的基板对芯片产生应力，会造成芯片中的低介电常数材料破裂，严重影响芯片器件的性能和可靠性。

2、因此，有必要提供更有效、更可靠的技术方案，在芯片封装过程中避免芯片中的低介电常数材料破裂，提高芯片器件的性能和可靠性。

技术实现思路

1、本申请提供一种加强环、半导体封装结构及其形成方法，可以在芯片封装过程中避免芯片中的低介电常数材料破裂，提高芯片器件的性能和可靠性。

2、本申请的一个方面提供一种加强环，用于降低半导体封装结构中基板的曲翘度，所述加强环呈环形，设置于基板的芯片区域周围并包围所述芯片区域。

3、在本申请的一些实施例中，所述加强环的热膨胀系数小于基板的热膨胀系数大于芯片的热膨胀系数。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种加强环，用于降低半导体封装结构中基板的曲翘度，其特征在于，所述加强环呈环形，设置于基板的芯片区域周围并包围所述芯片区域。

2.如权利要求1所述的加强环，其特征在于，所述加强环的热膨胀系数小于基板的热膨胀系数大于芯片的热膨胀系数。

3.如权利要求2所述的加强环，其特征在于，所述加强环的热膨胀系数为13×10-6至14×10-6/摄氏度。

4.如权利要求3所述的加强环，其特征在于，所述加强环的材料包括铜镍合金。

5.如权利要求1所述的加强环，其特征在于，所述加强环上具有提手结构。

6.一种半导体封装结构的形成方法，其特征在于...

【技术特征摘要】

1.一种加强环，用于降低半导体封装结构中基板的曲翘度，其特征在于，所述加强环呈环形，设置于基板的芯片区域周围并包围所述芯片区域。

2.如权利要求1所述的加强环，其特征在于，所述加强环的热膨胀系数小于基板的热膨胀系数大于芯片的热膨胀系数。

3.如权利要求2所述的加强环，其特征在于，所述加强环的热膨胀系数为13×10-6至14×10-6/摄氏度。

4.如权利要求3所述的加强环，其特征在于，所述加强环的材料包括铜镍合金。

5.如权利要求1所述的加强环，其特征在于，所述加强环上具有提手结构。

6.一种半导体封装结构的形成方法，其特征在于，包括：

7.如权利要求6所述的半导体封装结构的形成方...

【专利技术属性】
技术研发人员：费春潮，叶华，毛乾君，黄婷婷，朱雅莉，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：