一种光刻硅片表面压力测量方法技术

本发明专利技术提供一种光刻硅片表面压力测量方法，包括：S1、制备测压硅片：所述测压硅片内嵌入有多个测压芯片；所述测压芯片通过微小通道与外部数据采集系统相连接，以实时采集并传输压力数据；S2、预处理：S3、安装测压硅片；S5、数据采集：通过数据采集系统接收并记录测压芯片输出的信号，然后根据测压芯片的校准曲线将其转换为实际的压力值；S6、数据分析：对采集到的压力数据进行分析，以评估光刻过程中硅片表面压力的分布情况、变化趋势以及可能对硅片质量产生的影响。本发明专利技术提供的方法既能实时监测、快速响应，又不易受光刻过程干扰的硅片表面压力测量方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光刻，具体涉及一种光刻硅片表面压力测量方法。

技术介绍

1、在光刻工艺中，硅片表面的压力测量是至关重要的，因为它直接影响到光刻质量、芯片性能以及最终产品的可靠性。

2、现有技术中通常采用在硅片表面贴设应变片的方式测量硅片表面压力，通过测量应变片电阻的变化来推算压力，这种方式易受环境因素影响；测量精度受限于应变片的性能和粘贴质量；无法实现实时监测；而一些技术采用压电传感器进行测量，然而，压电材料易受温度和湿度影响，稳定性较差；需要复杂的信号处理电路。

3、基于此，为了适配光刻技术的发展，需要一种既能实时监测、快速响应，又不易受光刻过程干扰的硅片表面压力测量方法。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于克服现有技术的缺点，提供了一种光刻硅片表面压力测量方法，具体通过以下技术方案来实现：

2、一种光刻硅片表面压力测量方法，包括以下步骤：

3、s1、制备测压硅片：所述测压硅片内嵌入有多个测压芯片；所述测压芯片通过微小通道与外部数据采集系统相连接，以实时采集本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光刻硅片表面压力测量方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种光刻硅片表面压力测量方法，其特征在于：所述测压硅片具有与待测硅片相同的形状和尺寸；所述测压硅片的直径为50-600mm。

3.根据权利要求1所述的一种光刻硅片表面压力测量方法，其特征在于：所述测压芯片包括支撑层、密封层、谐振层和膜片层；所述密封层靠近谐振层一侧设置有腔体，谐振层包括谐振梁，所述膜片层则包含压力敏感膜片。

4.根据权利要求1所述的一种光刻硅片表面压力测量方法，其特征在于：所述测压芯片采用等间距阵列排布的方式嵌入在侧压硅片内。>

5.根据权利...

【技术特征摘要】

1.一种光刻硅片表面压力测量方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种光刻硅片表面压力测量方法，其特征在于：所述测压硅片具有与待测硅片相同的形状和尺寸；所述测压硅片的直径为50-600mm。

3.根据权利要求1所述的一种光刻硅片表面压力测量方法，其特征在于：所述测压芯片包括支撑层、密封层、谐振层和膜片层；所述密封层靠近谐振层一侧设置有腔体，谐振层包括谐振梁，所述膜片层则包含压力敏感膜片...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宏伟，鲍欢，
申请(专利权)人：苏州励索精密装备科技有限公司，
类型：发明
国别省市：