【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路制造，特别涉及一种三维封装芯片及其制造方法。
技术介绍
1、在对芯片进行封装时，会将每个模块的芯片独立封装，并将封装好的多个芯片平铺在一块电路板上，通过电路板连接成一个片上系统。且对于电容器件这种结构较大的电器件，是与封装好的芯片一同铺设在电路板上。
2、但是随着片上系统集成度的增加，二维封装已经无法满足片上系统体积的需求。再者，集成度增加的片上系统需较大的电流支撑，进而需要较大的电容器件。且随着电源芯片的电压切换频率的不断提升，需要电容尽量靠近电源网络。而设置在电路板上的电容无法满足片上系统对于电容的容量和位置的需求。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种三维封装芯片及其制造方法，可解决电路板上的电容无法满足片上系统对于电容的容量和位置需求的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种三维封装芯片，至少包括：
3、第一芯片及第二芯片，所述第二芯片与所述第一芯片键合；
4、至少一个凹部，设置在所述第一芯片靠...
【技术保护点】
1.一种三维封装芯片，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的一种三维封装芯片，其特征在于，在所述第一芯片和所述第二芯片中，设置有硅通孔结构。
3.根据权利要求2所述的一种三维封装芯片，其特征在于，在所述第一芯片靠近所述第二芯片的表面，在相邻的两个所述硅通孔结构之间，设置一个所述凹部；在所述第二芯片靠近所述第一芯片的表面，在相邻的两个硅通孔结构之间，设置一个所述凸部。
4.根据权利要求2所述的一种三维封装芯片，其特征在于，在所述第一芯片靠近所述第二芯片的表面，在相邻的两个所述硅通孔结构之间，设置两个或多个所述凹部；在所述第二...
【技术特征摘要】
1.一种三维封装芯片，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的一种三维封装芯片，其特征在于，在所述第一芯片和所述第二芯片中，设置有硅通孔结构。
3.根据权利要求2所述的一种三维封装芯片，其特征在于，在所述第一芯片靠近所述第二芯片的表面，在相邻的两个所述硅通孔结构之间，设置一个所述凹部；在所述第二芯片靠近所述第一芯片的表面，在相邻的两个硅通孔结构之间，设置一个所述凸部。
4.根据权利要求2所述的一种三维封装芯片，其特征在于，在所述第一芯片靠近所述第二芯片的表面，在相邻的两个所述硅通孔结构之间，设置两个或多个所述凹部；在所述第二芯片靠近所述第一芯片的表面，在相邻的两个硅通孔结构之间，设置两个或多个所述凸部。
5.根据权利要求1所述的一种三维封装芯片，其特征在于，所述凹部和所述凸部呈矩形、五边形、六边形或是具有圆角的矩形、五边形、六边形设置。
6.根据权利要求1所述的一种三维封装芯片，其特征在于，所述第一金属层包括第一电容金属层，所述第一电容金属层覆盖所述凹部；所述第二金属层包括第二电容金属层，所述第二电容金属层覆盖所述凸部，且所述第二电容金属层和所述第一电容金属层对位设置。
7.根据权利要求6所述的一种三维封装芯片，其特征在于，所述第一金属层包括第一接触金属层，所述第一接触金属层设置在所述第一电容金属层两侧；所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐健，田陌晨，温德鑫，祝俊东，
申请(专利权)人：奇异摩尔上海集成电路设计有限公司，
类型：发明
国别省市：
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