电致发光元件制造技术

一种电致发光元件，其包含一磊晶层、一第一接触电极、一接合层、一基板、一第一金属垫、一第二接触电极以及一第二金属垫。该磊晶层具有一沟槽，其将该磊晶层纵向分割为一第一区域及一第二区域，从而该第一区域与该第二区域彼此分离。该第一接触电极设置于该磊晶层之上且包含一开孔。该接合层设置于该第一接触电极之上。该基板设置于该接合层之上。该第一金属垫设置于该第一区域之下且纵向延伸而与该第一接触电极电性连接。该第二接触电极设置于该第二区域之下。该第二金属垫隔着该第二接触电极设置于该第二区域之下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电致发光元件，特别是包含具有一沟槽的磊晶层的电致发光元件。

技术介绍

1、电致发光(electroluminescence，el)元件，诸如垂直腔表面发射激光(verticalcavity surface emitting laser，vcsel)元件及发光二极体(light-emitting diode，led)元件等，作为光源而广泛地运用在电子消费品上。电致发光元件的主结构是以磊晶制成，且为求散热能力佳，常制成倒装式芯片(flip chip)结构。为确保倒装式芯片的表面粘着技术(surface mount technology，smt)的置件(pick-and-place)良率，电致发光元件的p侧垫(p-pad)与n侧垫(n-pad)会被设计成等高于磊晶层上。

2、然而，电致发光元件在后续打件至封装基板后，由于电致发光元件的基板与封装基板的材料彼此不同而具有不同的热膨胀系数，故可能造成电致发光元件的磊晶层或介电层遭受应力而断裂，导致电致发光元件损坏。

3、有鉴于此，本专利技术提出一种电致发光元件，可解决前述所提本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电致发光元件，包含：

2.如权利要求1所述的电致发光元件，其中，该电致发光元件为一垂直腔表面发射激光倒装式芯片。

3.如权利要求2所述的电致发光元件，其中，该基板为一透明基板。

4.如权利要求2所述的电致发光元件，其中，该磊晶层包含：

5.如权利要求2所述的电致发光元件，其中，该磊晶层使用三五族半导体材料或二六族半导体材料以一有机金属化学气相沉积方式或一分子束磊晶方式生长形成。

6.如权利要求2所述的电致发光元件，其中，该磊晶层的能隙介于1.3～2.5eV。

7.如权利要求1所述的电致发光元件，其中，该沟槽以...

【技术特征摘要】

1.一种电致发光元件，包含：

2.如权利要求1所述的电致发光元件，其中，该电致发光元件为一垂直腔表面发射激光倒装式芯片。

3.如权利要求2所述的电致发光元件，其中，该基板为一透明基板。

4.如权利要求2所述的电致发光元件，其中，该磊晶层包含：

5.如权利要求2所述的电致发光元件，其中，该磊晶层使用三五族半导体材料或二六族半导体材料以一有机金属化学气相沉积方式或一分子束磊晶方式生长形成。

6.如权利要求2所述的电致发光元件，其中，该磊晶层...

【专利技术属性】
技术研发人员：林坤立，
申请(专利权)人：台亚半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：