【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体加工，特别涉及一种晶圆制备方法和晶圆。
技术介绍
1、集成电路芯片不断向着高密度、高性能和轻薄短小的方向发展，为满足集成电路封装(ic封装)的高要求，晶圆的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。随着大直径硅片的应用，硅片的厚度也相应增大，而先进的封装技术则要求更薄的硅片，超精密磨削作为硅片背面减薄的重要方式得到广泛应用。
2、taiko减薄工艺是一种目前常用的超薄晶圆减薄工艺，其通过只磨削中心位置的晶圆，保留边缘部分的晶圆形成圆环，使圆环可以对中间减薄部分晶圆进行支撑，从而提升晶圆的整体刚度，减小翘曲变形，降低晶圆的碎片风险。
3、但是，taiko减薄工艺需要分多个步骤减薄。参照图1，磨轮的下端面从第一步起点11开始进给加工晶圆，进给至第一步终点12，在第二步工序时，磨轮的下端面从第一步终点(即第二步起点)12开始进给加工晶圆，进给至第二步终点13。图1中的虚线表示对心精度不足的磨轮，在磨轮的对心精度不足时，前一步减薄工序的留边会对后一步减薄工序造成干涉，a表示干涉位置，从而导致加工失败。并且不...
【技术保护点】
1.一种晶圆制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的晶圆制备方法，其特征在于，在多步所述磨削加工中，最后一步的减薄厚度yn小于或等于晶圆最终厚度h的1倍，并且大于或等于晶圆最终厚度h的0.02倍，即0.02≤yn/h≤1。
3.根据权利要求1所述的晶圆制备方法，其特征在于，在多步所述磨削加工中，最后一步的减薄厚度yn小于或等于晶圆最终厚度h的0.2倍，并且大于或等于晶圆最终厚度h的0.02倍，即0.02≤yn/h≤0.2。
4.根据权利要求1所述的晶圆制备方法，其特征在于，在多步所述磨削加工中，最后一步的减薄厚...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的晶圆制备方法，其特征在于，在多步所述磨削加工中，最后一步的减薄厚度yn小于或等于晶圆最终厚度h的1倍，并且大于或等于晶圆最终厚度h的0.02倍，即0.02≤yn/h≤1。
3.根据权利要求1所述的晶圆制备方法，其特征在于，在多步所述磨削加工中，最后一步的减薄厚度yn小于或等于晶圆最终厚度h的0.2倍，并且大于或等于晶圆最终厚度h的0.02倍，即0.02≤yn/h≤0.2。
4.根据权利要求1所述的晶圆制备方法，其特征在于，在多步所述磨削加工中，最后一步的减薄厚度yn等于晶圆最终厚度h的0.5倍。
5.根据权利要求1所述的晶圆制备方法，其特征在于，在多步所述磨削加工中，最后一步的减薄厚度yn大于或等于1微米。
6.根据权利要求1所述的晶圆制备方法，其特征在于，在多步所述磨削加工中，每一步的减薄厚度y1至yn相同或不同。
7.根据权利要求1所述的晶圆制备方法，其特征在于，每一步所述磨削加工中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯雪，李传檑，陈颖，张须坤，朱春林，姜克，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：
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